【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
具有缺陷减少区域的单晶半导体晶片,其中所述缺陷减少区域的GOI相关缺陷密度在0/cm↑[2]至0.1/cm↑[2]的范围内,并且总共占据所述半导体晶片的平面面积的10至100%的面积比例,而所述半导体晶片的剩余区域的缺陷密度明显高于所述缺陷减少区域。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:D克耐尔,A胡贝尔,U兰贝特,F帕塞克,
申请(专利权)人:硅电子股份公司,
类型:发明
国别省市:DE[]
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