【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体激光用单晶晶片，特别涉及其形成取向平面的劈开面的棱线部的断面形状。
技术介绍
半导体晶片被作为基板用于肖特基势垒栅场效应晶体管(MESFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、异质接合双极晶体管(HBT)、其他激光二极管(LD)或发光二极管(LED)等装置。这些元件的能动层是在由半导体晶片制造的镜面晶片的表面上通过分子束外延成长(MBE)、有机金属气相外延成长(MOVPE)法及离子渗入法等形成。制造该镜面晶片时，首先，将结晶锭按照规定的厚度切薄，切出晶片。将该切薄的晶片用#800～#3000的氧化铝研磨粉研磨除去沟槽痕迹，提高平坦性。然后，作为研磨液使用次亚氯酸系水溶液、或次亚氯酸系水溶液和砂粒(二氧化硅、氧化铝、锆)的混合液，或者用表面具有多孔质层的研磨布，通过机械化学研磨精制成镜面，即进行所谓抛光。其次，按规定的方法将该镜面洗净，使其干燥。干燥后的镜面晶片放入晶片皿或晶片盒存放。另一方面，化合物半导体晶片在被用于半导体激光等时，因为需要其共振面有良好的平坦度、因为判别结晶方位或调合位置、重合焦点等原因，作为该基准面有劈开面的情况。特别是...
【技术保护点】
一种半导体激光用单晶晶片，其特征在于，将由劈开形成取向平面的晶片表面用高硬度的研磨布并且在适当的晶片按压压力及研磨速率下，使晶片表面的中心部与外周部在相同研磨速率下研磨，从而使其具有在劈开面上使棱线部的弧度变小的取向平面部。
【技术特征摘要】
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