用于氮化镓的沉积的异质外延晶圆制造技术

一种异质外延晶圆，其按以下顺序包括：(1)由硅制成的衬底，其具有厚度、直径和电阻率，并包括用于氢的埋入的吸除层，(2)3C‑SiC层，(3)氮化铝成核层，其按给定顺序包括第一富氮氮化铝区、氮化铝区和第二富氮氮化铝区。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种异质外延晶圆，该异质外延晶圆被优化，以用于在其上沉积氮化镓。

技术介绍

1、相对于硅，氮化镓(gan)提供了一些基本优势。尤其是，与硅mosfet相比，更高的临界击穿电场使得其对具有出色的特定动态导通电阻(dynamic on-state resistance)和较小的电容的功率半导体器件来说非常有吸引力。因此，gan hemt对于高速开关很适用。这不仅是因为所导致的功耗节省和总系统成本降低，它还允许更高的工作频率，改善功率密度以及整体系统效率。

2、在使用金属有机物化学气相沉积(mocvd)技术生长gan p-n结二极管期间，生长出具有良好结构、光学完整性并且同时具有良好电学完整性的p型材料是很困难的。gan结二极管的p型区通常在mocvd反应器中通过添加镁(mg)来生长，以实现所期望的导电率。

3、然而，常见的问题是如mg、锌(zn)、碳(c)等的受主被氢原子电学钝化。据信，氢原子扩散到gan材料中，在其中中和了mg受主和由mg产生的空穴。

4、钝化过程使mg受主失去活性，导致材料在其生长状态下变得本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种异质外延晶圆，其按以下顺序包括：

2.根据权利要求1所述的异质外延晶圆，其特征在于，

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种异质外延晶圆，其按以下顺序包括：

2.根据权利要求1所述的异质外延晶圆，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的异质外延晶圆，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的异质外延晶圆，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的异质外...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·墨菲，S·B·塔帕，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：