温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种异质外延晶圆，其按以下顺序包括：(1)由硅制成的衬底，其具有厚度、直径和电阻率，并包括用于氢的埋入的吸除层，(2)3C‑SiC层，(3)氮化铝成核层，其按给定顺序包括第一富氮氮化铝区、氮化铝区和第二富氮氮化铝区。...
该专利属于硅电子股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅电子股份公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。