【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种锂离子电池，包括：
2.根据权利要求1所述的电池，其中所述电解质层包含基于硫银锗矿硫化物的电解质。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的电池，其中硅阳极材料构成硅膜以及铜集电器、镍集电器或钛集电器。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电池，其中所述阴极层包含：阴极活性材料，其选自锂镍锰钴氧化物、锂镍钴铝氧化物、锂锰尖晶石、锂过渡金属氧化物、磷酸铁锂或其组合；以及导电碳材料。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电池，其中硅阳极材料基本上仅包含硅，并且表现出包含纳米结晶区域的无定形结构。
6.根据权利...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种锂离子电池，包括：
2.根据权利要求1所述的电池，其中所述电解质层包含基于硫银锗矿硫化物的电解质。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的电池，其中硅阳极材料构成硅膜以及铜集电器、镍集电器或钛集电器。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电池，其中所述阴极层包含：阴极活性材料，其选自锂镍锰钴氧化物、锂镍钴铝氧化物、锂锰尖晶石、锂过渡金属氧化物、磷酸铁锂或其组合；以及导电碳材料。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电池，其中硅阳极材料基本上仅包含硅，并且表现出包含纳米结晶区域的无定形结构。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的电池，其中硅阳极材料具有多孔硅结构，所述多孔硅结构具有多于一个柱和在硅柱中的纳米尺寸的初级颗粒。
7.根据权利要求6所述的电池，其中硅层具有按照通过pecvd沉积条件测定的在从5％至80％的范围内的孔隙率。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的电池，其中所述硅膜已经直接沉积到所述集电器上，优选地通过等离子体增强化学气相沉积(pecvd)方法沉积到所述集电器上。
9.根据权利要求8所述的电池，其中所述硅膜已经通过物理气相沉积(pvd)方法、诸如通过等离子体增强化学气相沉积(pecvd)方法、化学气相沉积(cvd)方法、脉冲激光沉积(pld)方法、溅射和/或电化学喷涂方法沉积。
10.根据前述权利要求中任一项所述的电池，其中所述硅膜能够沉积在所述集电器的一侧或两侧上。
11.根据前述权利要求中任一项所述的电池，其中所述硅膜具有1μm直至30μm的厚度。
12.根据前述权利要求中任一项所述的电池，其中所述硅膜具有优选地约5μm直至20μm的厚度，和/或0.1mg/cm2直至4.0mg/cm2的质量负载量。
13.根据前述权利要求中任一项所述的电池，其中所述电解质层包含：基于硫化物的电解质，优选地选自硫银锗矿、li10gep2s12(lgps)、li7p3s11(lps)、裸露和掺杂的li7la3zr2o12(llzo)石榴石结构氧化物、卤化物电解质、nasicon型磷酸盐玻璃陶瓷，优选地(lagp)、氮氧化物，优选地锂磷氮氧化物或lipon的电解质；以及聚合物，优选地peo或pva；或它们的任何组合。
14.根据前述权利要求中任一项所述的电池，其中所述阴极层包含阴极活性材料、固体电解质粉末、碳导电材料和铝集电器。
15.根据权利要求13或14所述的电池，其中所述阴极活性材料包括锂钴氧化物、锂镍氧化物、锂镍锰钴氧化物、锂镍钴铝氧化物、锂锰尖晶石、磷酸铁锂或其组合。
16.根据权利要求14或15所述的电池，其中阴极层中的碳导电材料包括电子导电材料、炭黑导电材料、碳纳米纤维导电材料、碳纳米管材料、玻璃碳导电材料或石墨烯导电材料或其组合。
17.根据权利要求13至16中任一项所述的电池，其中阴极材料包括与li6ps5cl颗粒材料共混的锂铌氧化物(linbo3)包覆的锂镍锰钴氧化物、优选地颗粒linbo3包覆的lini0.8mn0.1co0.1o2(nmc811)材料，更优选地nmc811:li6ps5cl的质量比在从90wt.％:10wt.％至60wt.％:40wt.％的范围内、更优选地在从80wt.％:20wt.％至65wt.％:35wt.％的范围内。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：李兆龙，马尼斯·瓦格马克尔，阿里扬·迪登，裘利斯·玛斯，罗汉·希瓦拉，安奇·高雅尔，伯耐特·乌斯特拉肯，
申请(专利权)人：莱顿瓶科技私人有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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