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本发明提供一种制备高电阻率硅结构的方法，包括以下步骤：首先，提供一掺杂浓度为中等、初始电阻率为２００－１０００ｏｈｍ－ｃｍ的Ｐ型硅结构；其次，对所述硅结构进行热处理，通过所述热处理产生氧热施主，使得所述硅结构中的部分或全部空穴被抵消。本发明...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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