具有蚀刻停止层的晶体管结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种具有蚀刻停止层的晶体管结构及其制作方法。本发明专利技术的晶体管结构，至少由基板、结晶半导体层、蚀刻停止结构、欧姆接触层、源极、漏极、栅极绝缘层以与栅极所构成。本发明专利技术的制作方法可通过相同的光掩模同时图案化欧姆接触层及结晶半导体层，或通过相同的另一光掩模同时图案化欧姆接触层及电极层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种的晶体管结构，尤其涉及一种具有蚀刻停止层的薄膜晶体管结 构。
技术介绍
现有薄膜晶体管顶栅极(top gate)结构(元件)中，目前已广泛地应用在平面显 示装置上，其中顶栅极是指栅极设置于半导体堆栈层上方，而半导体堆栈层是由多晶硅层 与欧姆接触层所构成，即先形成多晶硅层再形成欧姆接触层于多晶硅层的上方，且欧姆接 触层中具有N+区域及P+区域。然而在一般的顶栅(top gate)晶体管元件的工艺中，对欧 姆接触层蚀刻时，即对N+区域和P+的区域的蚀刻时，易蚀刻栅极正下方及其附近的多晶硅 层，而造成多晶硅层(也可称为主动层)的前通道损坏，即位于栅极下方的多晶硅层会被蚀 刻成较原先设计的厚度为薄，而若当晶体管元件的多晶硅层(也可称为主动层)较薄时，更 不易控制蚀刻工艺中的多晶硅层(也可称为主动层)厚度的均勻性，容易导致电性不均。而 且，由于前信道损坏也会造成电子迁移率降低、漏电流变大以及次临界效应变差等问题，而 使得晶体管元件可靠度不佳，造成了薄膜晶体管顶栅极(top gate)结构(元件)在应用上 的限制。因此，现有的顶栅(top gate)晶体管元件的结构尚须改良。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
一种具有蚀刻停止层的晶体管结构，其特征在于，至少包含一基板；一结晶半导体层，设置于该基板上，其中该结晶半导体层包括一上表面、一第一侧表面与一第二侧表面；一蚀刻停止结构，设置于该结晶半导体层上，且该蚀刻停止结构包含一第一部分及一第二部分；一欧姆接触层，设置于该结晶半导体层及该蚀刻停止结构上，包含一第一欧姆接触区与一第二欧姆接触区，其中该第一欧姆接触区自该蚀刻停止结构的该第一部分的上方朝向该结晶半导体层延伸且覆盖该结晶半导体层的该上表面的一侧，该第二欧姆接触区自该蚀刻停止结构的该第二部分的上方朝向该结晶半导体层延伸且覆盖该结晶半导体层的该上表面的另一侧；一源极，覆盖该第一欧姆接触区；一漏极，覆盖该第二欧姆接触区；一栅极绝缘层，设置于该源极、该漏极与该结晶半导体层上；以及一栅极，设置于该栅极绝缘层上对应该结晶半导体层。2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该蚀刻停止结构的该第一部分被 夹设于该第一欧姆接触区正下方及该结晶半导体层之间，该蚀刻停止结构的该第二部分被 夹设于该第二欧姆接触区正下方及该结晶半导体层之间，该蚀刻停止结构的该第一部分与 该第二部分不接触，且暴露出部分该结晶半导体层。3.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该蚀刻停止结构更包含一第三部 分，而该第一部分、该第二部分及该第三部分连接构成一体的该蚀刻停止结构，且该蚀刻停 止结构与该第一欧姆接触区及该第二欧姆接触区完全覆盖住该结晶半导体层。4.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该第一欧姆接触区更进一步延伸 覆盖该结晶半导体层的该第一侧表面及部份该基板，且该第二欧姆接触区更进一步延伸覆 盖该结晶半导体层的该第二侧表面及部份该基板。5.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该结晶半导体层包含一多晶硅半 导体层。6.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该源极的边缘大体上与该第一欧 姆接触区的边缘对齐，且该漏极的边缘大体上与该第二欧姆接触区的边缘对齐。7.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该源极的边缘大体上与该蚀刻停 止结构的该第一部分的边缘对齐，且该漏极的边缘大体上与该蚀刻停止结构的该第二部分 的边缘对齐。8.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，包含一缓冲层，设置于该基板与该 结晶半导体层之间。9.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该源极突出于该第一欧姆接触区 并覆盖部分该基板，且该漏极突出于该第二欧姆接触区并覆盖部分该基板。10.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡晋玮，庄景桑，陈佳榆，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71