多层基板及其制造方法技术

多层基板及其制造方法。该多层基板的设计自由度高，适合高密度安装且具有高性能。多层基板包括层叠的多个绝缘层；和在多个绝缘层各个之间形成的、未贯穿该多个绝缘层中的任意一层的配线图形，配线图形包括具有预定厚度的第１配线图形和厚度大于第１配线图形的第２配线图形。通过消去法对厚度一定的导电层进行构图而形成第１配线图形。在形成通孔的同一工序中，通过开孔加工，形成图形形成用槽，然后用导电性材料同时填充通孔和图形形成用槽的内部，形成第２配线图形。第１配线图形优选用作为图形的宽度和厚度偏差小、要求相对于绝缘层的图形厚度精度的高频电路用ＬＣ图形和要求阻抗匹配的通常的配线图形。第２配线图形优选用作为扼流圈用Ｌ图形。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别涉及具有配线图形和通孔电极的多层基 板及其制造方法。
技术介绍
近年来，对于高密度安装的要求日益严格。由此，作为印刷基板上搭载的各种模块 用的基板，多采用多个绝缘层层叠而成的“多层基板”。通过在构成多层基板的各绝缘层上形成配线图形等，对其进行层叠，从而进行多 层基板的制造。通过贯穿绝缘层的通孔来进行不同绝缘层上形成的配线图形之间的连接 (参照日本国特许第2857270号公报、特开平10-322021号公报)。在各绝缘层上的配线图形的形成中，通常采用称为“消去法”的方法和称为“添加 法”的方法的2种方法。根据“消去法”，通过对预先在绝缘层上均勻地形成的导电层进行 蚀刻，形成所需的图形。一般，基于消去法的图形形成具有下述的性质，即，由于采用厚度一 定的铜箔作为导电层，故容易获得厚度精度，但是，难于高精度地控制其宽度，导体的厚度 越大，宽度精度越低。根据添加法，由于对打算通过干膜、抗蚀剂等描绘图形的部分进行曝 光，显影，使镀层沿图形生长后，去除干膜等，最终完成所需的图形。基于添加法的图形形成 具有下述的性质，即，由于通过曝光、显影后的干膜等已经确定了宽度方向的精度，故宽度 方向的精度高，但是，由于厚度方向的精度取决于镀层面的偏差，故厚度的差异较大，难于 高精度地对厚度进行控制。这样，消去法和添加法各自具有优缺点，当打算重视宽度方向的精度时，选择添加 法，而当打算重视厚度方向的精度时，选择消去法。另外，在图形形成中，采用这两种方法中 的任意一种就够了，无需对同一个面混合地进行这两种方法。近年来，对于在基板中不仅内置配线图形，而且还内置电感(L)和电容(C)的、所 谓的嵌入化的要求看涨。对于该内置LC有下述的要求。首先，对于在高频电路中使用的L，重要的是在控制阻抗的基础上进行图形宽度方 向上的控制。即使图形的厚度薄一些，对传送特性的影响也较小。另一方面，在用于电源系 统的平滑电路等的L(扼流圈)中，优选为直流电阻较低。于是，重要的是导体图形的截面 积取多大。另外，在高频电路所使用的C中，重要的是减小静电电容的偏差，具体来说，必须 将静电电容的偏差抑制在不超过士5%。为了实现该效果，重要的是图形宽度方向上的控 制，而即使在图形的厚度薄一些，也没有问题。另外，对于配线图形而言，重要的是在控制阻 抗的基础上，还要减小图形的宽度和厚度的偏差。在这样的条件下，比如，象功率放大器用基板那样，必须构成要求图形的宽度方向的精度的“匹配电路用L”、和要求直流电阻尽可能低(要求导体的厚度)的“电源电路用 L(扼流圈)，，的情况下，在选择上述任意的图形形成方法时，具有无法在多层基板的同一层 内形成两个L的问题。即，如果要对图形的宽度和厚度要求所需的精度，则由于无法在同一层内形成厚 度不同的图形的结构上的限制/矛盾，故设计的自由度受到限制，难于应对小型化、高性能 化的要求。
技术实现思路
于是，本专利技术的目的在于提供设计的自由度高，可任意地选择各元件所要求的最 佳图形形状、偏差的。本专利技术的多层基板的特征在于，包括层叠的多个绝缘层；和在所述多个绝缘层 各个之间形成的、未贯穿该多个绝缘层中的任意一层的配线图形，并且，所述配线图形包括 具有预定厚度的第1配线图形和厚度大于第1配线图形的第2配线图形。在这里，“同一 层内”指相接的绝缘层之间的边界附近，其包含第1和第2配线图形均跨过绝缘层之间的 边界而存在的情况、第1和第2配线图形均与边界面的一个面接触的情况，以及第1和第2 配线图形中的任意一个与边界面的一个面接触，并且另一个与边界面的另一个面接触的情 况。另外，还考虑在增长层(build-up layer)上再形成增长层的情况等，由于由相同材料 形成的绝缘层的层叠而难于进行绝缘层之间的边界的明确判别的情况，但是，即使在这样 的情况下，由于第1和第2配线图形显然位于上下的绝缘层之间，故在此情况下，可视为在 第1和第2配线图形附近存在绝缘层之间的边界。按照本专利技术，例如，可以在同一层内构成作为第1配线图形而构成的高频电路用 LC图形和通常的配线图形、和作为第2配线图形而构成的扼流圈用L图形等，可任意地选择 各元件所要求的最佳图形形状和偏差。即，可实现设计的自由度高，适合高密度安装的高性 能的多层基板。在本专利技术中，可以是上述第1配线图形在上述多个绝缘层中的预定的绝缘层的表 面上形成，上述第2配线图形中的至少一部分嵌入上述预定的绝缘层内，也可以是上述第1 配线图形和上述第2配线图形均在上述多个绝缘层中的预定的绝缘层的表面上形成。按照 本专利技术，由于可通过消去法形成第1配线图形，可通过添加法形成第2配线图形，故可任意 地选择各元件所要求的最佳的图形形状和偏差。在本专利技术中，优选为上述第1配线图形和上述第2配线图形中的至少一方构成为 蚀刻率不同的多个导电层的层叠体。按照本专利技术，由于可在对复合材料进行构图而预先形 成较厚的配线图形后，将其粘贴于核心基板上，然后，进一步对核心基板上的复合材料进行 构图而形成较薄的配线图形，故可以仅通过消去法来形成配线图形。由此，有用于以消去法 进行加工的设备就够了，完全不需要用于以添加法进行加工的设备。在本专利技术中，进一步优选为上述层叠体由2个导电层构成，上述2个导电层的组 合为铜(Cu)与铝(Al)、铝(Al)与铜(Cu)、铜(Cu)与镍(M)、镍(Ni)与铜(Cu)、铜(Cu) 与钯(Pd)、铜(Cu)与银(Ag)、不锈钢(SUS)与钯(Pd)、不锈钢(SUS)与银(Ag)、银(Ag)与 不锈钢(SUS)J^ (Cu)与不锈钢(SUS)中的任意一种组合。如果2个导电层的组合为这些 中的任意一种，则可通过导电层的图形蚀刻处理，可靠地形成厚度不同的配线图形。在本专利技术中，优选为，还包括连接不同的层上存在的配线图形的通孔。由此，第2 配线图形可与通孔同时地形成，因此可在不增加工序的情况下，在通常的工序范围内，形成 第2配线图形。在本专利技术中，优选为上述第1配线图形的厚度(tl)在Iym 18μπι的范围内选 择，选择上述第2配线图形的厚度(t2)，使得上述第1配线图形的厚度与上述第2配线图形 的厚度之比(t2/tl)在1.5 20的范围内。如果在该范围内，则可以在不对设计自由度造 成妨碍的情况下，在必要的部位绘制最佳的电路图形。在本专利技术中，优选为上述第2配线图形的至少一部分用作为扼流圈。由此，例如， 可以实现特性良好的功率放大器用的多层基板。本专利技术的多层基板的制造方法的特征在于，包括在构成多层基板的一部分的绝 缘层的表面上形成具有预定厚度的第1配线图形的第1工序；在上述绝缘层上形成图形形 成用槽的第2工序；以及，以导电性材料对上述图形形成用槽的内部进行填充，形成厚度大 于上述第1配线图形的第2配线图形的第3工序。按照本专利技术，由于可在同一层内形成具有不同厚度的图形，故例如，对于通过导电 层的构图而形成的较薄的图形，形成高频电路用LC图形和通常的配线图形，对于图形形成 用槽的较厚的图形，形成扼流用L图形，由此，可实现特性良好的功率放大器用多层基板 等，可任意地选择各元件所要求的最佳的图形形状和偏差。即，可制造出设计自由度高，适 合高密度安装的高性能的多层基板。在本专利技术中，优选为上述第1工序包括对上述绝缘层的至少一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层基板，其特征在于，包括：层叠的多个绝缘层；和在所述多个绝缘层各个之间形成的、未贯穿该多个绝缘层中的任意一层的配线图形，并且，所述配线图形包括具有预定厚度的第１配线图形和厚度大于所述第１配线图形的第２配线图形。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：川畑贤一，阿部寿之，胜俣正史，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]