一种二极管芯片的清洗工艺制造技术

一种二极管芯片的清洗工艺。涉及清洗工艺中所用清洗液配方的改进。能进一步减少芯片侧表面金属离子，从而避免芯片在工作中会出现“爬电”现象。依次包括混酸洗、双磷洗和氨洗，氨洗时的清洗液包括氨水、水和双氧水，它们的重量比是氨水１份∶水２－３．５份∶双氧水０．１５－０．３份。与以往的配方相比，本发明专利技术在氨洗液中加入了双氧水，在充分混合的情况下通过下酸管道下到酸洗盘上，酸液没过上钉头（相当于芯片上端面的夹具部件）使得反应充分，进而能使芯片侧表面的金属杂质去除得更加彻底，材料在高温下使用更加稳定，降低由于表面漏电的偏大而导致材料电性的不稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体芯片的清洗工艺，尤其涉及清洗工艺中所用清洗液配方的改 进。
技术介绍
现有技术对二极管芯片清洗的工艺过程是混酸清洗、双磷清洗和氨水清洗，在每 道清洗工序后有清水的清洗工序。其中混酸清洗时清洗液中包括硝酸、硫酸、氢氟酸和冰醋 酸；双磷清洗时清洗液中包括双氧水和磷酸，氨水清洗时的清洗液是氨水稀释溶液。原来使用的氨水配比为3份水和1份氨水，前面双磷对晶粒主要是起氧化作用，因 为经混酸反应之后，单质Si有一个悬挂键露在外边，H2O2在酸性条件下又与金属原子形成金 属氧化物，然后又与H3PO4反应生成金属离子，通过冲洗后去除重金属原子。在NH3这一步，是 通过NH4+的络合作用把金属离子进一步去除干净，但部分金属原子在混酸中没有被完全氧化 也进入到第三道清洗过程中，在第三道清洗的离子震荡过程中不能被去除。整个过程中晶粒 表面的金属污染的去除效果没有我们预期的那么好，从而影响酸洗二极管的电性。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中的问题，提供了一种能进一步减少芯片侧表面金属离子， 从而避免芯片在工作中会出现“爬电”现象的二极管芯片的清洗工艺。本专利技术的技术方案是依次包括混酸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二极管芯片的清洗工艺，依次包括混酸洗、双磷洗和氨洗，其特征在于，所述氨洗时的清洗液包括氨水、水和双氧水，它们的重量比是氨水１份∶水２－３．５份∶双氧水０．１５－０．３份。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王毅，陈晓华，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]