高耐压低反向电流整流桥堆制造技术

高耐压低反向电流整流桥堆。涉及对高耐压低反向电流整流桥堆结构的改进。厚度小，散热面积大，进而能确保器件使用寿命和使用性能。包括四个芯片式二极管以及承载二极管的框架，框架包括进片一、进片二、出片一和出片二，进片一和进片二处于同一平面，四个芯片正反交替地分别连接于其上，出片一和出片二从四个芯片的顶部将四个芯片相连。本实用新型专利技术的四颗芯片放置在同一个平面，只需将四个铜框架从两面进行连接焊接，即可形成桥式电路。制成品的整体厚度降低了，平面面积增大了，大大提高了散热的效果。此外，减少了加工时的焊接工序，在一道工序上进行四个芯片的焊接，提高了加工的效率。减少劳动强度及工序、提高生产效率、提高器件的散热性能。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及对高耐压低反向电流整流桥堆结构的改进。
技术介绍
采用芯片式二极管制作的整流桥堆越来越为市场所接收，现有的整流桥堆为三层 铜框架结构，如图4所示，两层芯片叠加焊接方式，生产工艺较为复杂，人工劳动力加大，生 产成本增高。制成品的整体厚度较大，表面尺寸小，散热差，不能适应一些空间狭小场合的 应用。
技术实现思路
本技术针对以上问题，提供了一种厚度小，散热面积大，进而能确保器件使用 寿命和使用性能的高耐压低反向电流整流桥堆。本技术的技术方案是包括四个芯片式二极管以及承载所述二极管的框架， 所述框架包括进片一、进片二、出片一和出片二，进片一和进片二处于同一平面，所述四个 芯片正反交替地分别连接于其上，所述出片一和出片二从所述四个芯片的顶部将所述四个 芯片相连。所述出片一和出片二的底面上分别设有一对用于连接所述芯片的承接凸台。所述出片一和出片二的引出部位设段差面，使引出部位与所述进片一和进片二的 引出部位处于同一平面中。本技术的四颗芯片放置在同一个平面，只需将四个铜框架从两面进行连接焊 接，即可形成桥式电路。制成品的整体厚度降低了，平面面积增大了，大大提高了散热的效 果。此外，减少了本文档来自技高网...

【技术保护点】
高耐压低反向电流整流桥堆，包括四个芯片式二极管以及承载所述二极管的框架，其特征在于，所述框架包括进片一、进片二、出片一和出片二，进片一和进片二处于同一平面，所述四个芯片正反交替地分别连接于其上，所述出片一和出片二从所述四个芯片的顶部将所述四个芯片相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王毅，王双，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]