一种大电流高效率整流桥堆制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大电流高效率整流桥堆，包括芯片IC1，所述芯片IC1的引脚1连接有输入端ACL、场效应管Q2的源极S和场效应管Q3的漏极D，所述场效应管Q2的漏极D连接有正极输出端DC1、场效应管Q1的漏极D和芯片IC1的引脚6，且Q2的栅极G和芯片IC1的引脚7 相连接，所述场效应管Q1的栅极G和芯片IC1的引脚8相连接，且场效应管Q1的源极S连接有芯片IC1的引脚2、输入端ACN和场效应管Q4的漏极D，所述场效应管Q4的栅极G和芯片IC1的引脚4相连接，且场效应管Q4的源极S连接有场效应管Q3的源极S、芯片IC1的引脚5和负极输出端DC2。本实用新型专利技术的结构简单，损耗小、效率高、发热低，适用于一些大电流大功率的电源整流，既具有高效整流的效果，且节省了电源产品的空间。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及整流桥堆
，尤其涉及一种大电流高效率整流桥堆。
技术介绍
近年来随着电动汽车、电动单车、电动摩托车等产业发展迅猛，趋生了大功率的直流充电器和直流充电桩等大功率的电源设备，这些大功率的电源设备上都要用到整流桥堆。一般传统的整流桥堆其内部主要是由四个特性配对的二极管组成桥路，来实现把输入的交流电压转换为输出的直流电压并调整电流方向。在整流桥堆的每个工作周期内，同一时间只有两个二极管进行工作，通过二极管的单向导通功能，把交流电转换成单向的直流脉动电压。一个全桥的整流桥堆，无论是在电源的正半周期，还是在电源的负半周期，它都能够为负载供电。正弦交流电的每半个周期形成一次回路都要通过整流桥堆内部的两个二极管，那么这样就会造成1V以上的压降及损耗，普通的整流桥堆用于小功率的电源上其二极管的压降可以忽略不计，但大功率的电源因整流桥堆内部二极管上流过的电流大，因而损耗也会很大，整流桥堆的压降引起的损耗会带来严重的效率和发热问题，影响到充电的速度和效率。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种大电流高效率整流桥堆。为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种大电流高效率整流桥堆，包括芯片IC1，所述芯片IC1的引脚1连接有输入端ACL、场效应管Q2的源极S和场效应管Q3的漏极D，所述场效应管Q2的漏极D连接有正极输出端DC1、场效应管Q1的漏极D和芯片IC1的引脚6，且Q2的栅极G和芯片IC1的引脚7 相连接，所述场效应管Q1的栅极G和芯片IC1的引脚8相连接，且场效应管Q1的源极S连接有芯片IC1的引脚2、输入端ACN和场效应管Q4的漏极D，所述场效应管Q4的栅极G和芯片IC1的引脚4相连接，且场效应管Q4的源极S连接有场效应管Q3的源极S、芯片IC1的引脚5和负极输出端DC2，所述场效应管Q3的栅极G和芯片IC1的引脚3相连接。优选的，所述芯片IC1为数字控制波形检测芯片。优选的，所述场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3场效应管Q4均为N沟道增强型场效应晶体管。优选的，所述输入端ACL和输入端ACN均与交流电相连接。本技术的有益效果：1、通过在整流桥堆中设置场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3和场效应管Q4，由于场效应管内阻小导通时压降很小，使得整流桥堆损耗小、效率高、发热低；2、通过芯片IC1，可以为场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3和场效应管Q4提供驱动，进而芯片IC1可以控制场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3和场效应管Q4的导通和关断，使得整流桥堆具有较好的整流效果，且工作效率高和温度低；3、通过将芯片IC1、场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3和场效应管Q4封装在一起，既节约了成本，又节省了电源产品的空间，还方便了PCB设计工程师布线布局；本技术的结构简单，损耗小、效率高、发热低，适用于一些大电流大功率的电源整流，既具有高效整流的效果，且节省了电源产品的空间。附图说明图1为本技术提出的一种大电流高效率整流桥堆的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。参照图1，一种大电流高效率整流桥堆，包括芯片IC1，芯片IC1的引脚1连接有输入端ACL、场效应管Q2的源极S和场效应管Q3的漏极D，场效应管Q2的漏极D连接有正极输出端DC1和场效应管Q1的漏极D，且Q2的栅极G和芯片IC1的引脚7 相连接，场效应管Q1的栅极G和芯片IC1的引脚8相连接，且场效应管Q1的源极S连接有芯片IC1的引脚2、输入端ACN和场效应管Q4的漏极D，场效应管Q4的栅极G和芯片IC1的引脚4相连接，且场效应管Q4的源极S连接有场效应管Q3的源极S、芯片IC1的引脚5和负极输出端DC2，场效应管Q3的栅极G和芯片IC1的引脚3相连接，通过在整流桥堆中设置场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3和场效应管Q4，由于场效应管内阻小导通时压降很小，使得整流桥堆损耗小、效率高、发热低；通过芯片IC1，可以为场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3和场效应管Q4提供驱动，进而芯片IC1可以控制场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3和场效应管Q4的导通和关断，使得整流桥堆具有较好的整流效果，且工作效率高和温度低；通过将芯片IC1、场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3和场效应管Q4封装在一起，既节约了成本，又节省了电源产品的空间，还方便了PCB设计工程师布线布局；本技术的结构简单，损耗小、效率高、发热低，适用于一些大电流大功率的电源整流，既具有高效整流的效果，且节省了电源产品的空间。本技术中，芯片IC1为数字控制波形检测芯片，场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3场效应管Q4均为N沟道增强型场效应晶体管，输入端ACL和输入端ACN均与交流电相连接，通过在整流桥堆中设置场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3和场效应管Q4，由于场效应管内阻小导通时压降很小，使得整流桥堆损耗小、效率高、发热低；通过芯片IC1，可以为场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3和场效应管Q4提供驱动，进而芯片IC1可以控制场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3和场效应管Q4的导通和关断，使得整流桥堆具有较好的整流效果，且工作效率高和温度低；通过将芯片IC1、场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3和场效应管Q4封装在一起，既节约了成本，又节省了电源产品的空间，还方便了PCB设计工程师布线布局；本技术的结构简单，损耗小、效率高、发热低，适用于一些大电流大功率的电源整流，既具有高效整流的效果，且节省了电源产品的空间。工作原理：在整流桥堆中设置场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3和场效应管Q4，由于场效应管内阻小导通时压降很小，使得整流桥堆损耗小、效率高、发热低，芯片IC1的引脚1和输入端ACL连接，用于检测输入端ACL的正弦波波形，芯片IC1的引脚2连接有输入端ACN连接，用于检测输入端ACN的正弦波波形，芯片IC1可以为场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3和场效应管Q4提供驱动，芯片IC1的引脚8和场效应管Q1的栅极G连接，芯片IC1可以控制场效应管Q1的导通和关断，芯片IC1的引脚7和场效应管Q2的栅极G连接，芯片IC1可以控制场效应管Q2的导通和关断，芯片IC1的引脚3和场效应管Q3的栅极G连接，芯片IC1可以控制场效应管Q3的导通和关断，芯片IC1的引脚4和场效应管Q4的栅极G连接，芯片IC1可以控制场效应管Q4的导通和关断，使得整流桥堆具有较好的整流效果。以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大电流高效率整流桥堆，包括芯片IC1，其特征在于，所述芯片IC1的引脚1连接有输入端ACL、场效应管Q2的源极S和场效应管Q3的漏极D，所述场效应管Q2的漏极D连接有正极输出端DC1、场效应管Q1的漏极D和芯片IC1的引脚6，且Q2的栅极G和芯片IC1的引脚7 相连接，所述场效应管Q1的栅极G和芯片IC1的引脚8相连接，且场效应管Q1的源极S连接有芯片IC1的引脚2、输入端ACN和场效应管Q4的漏极D，所述场效应管Q4的栅极G和芯片IC1的引脚4相连接，且场效应管Q4的源极S连接有场效应管Q3的源极S、芯片IC1的引脚5和负极输出端DC2，所述场效应管Q3的栅极G和芯片IC1的引脚3相连接。

【技术特征摘要】
1.一种大电流高效率整流桥堆，包括芯片IC1，其特征在于，所述芯片IC1的引脚1连接有输入端ACL、场效应管Q2的源极S和场效应管Q3的漏极D，所述场效应管Q2的漏极D连接有正极输出端DC1、场效应管Q1的漏极D和芯片IC1的引脚6，且Q2的栅极G和芯片IC1的引脚7 相连接，所述场效应管Q1的栅极G和芯片IC1的引脚8相连接，且场效应管Q1的源极S连接有芯片IC1的引脚2、输入端ACN和场效应管Q4的漏极D，所述场效应管Q4的栅极G和芯片IC1的引脚4相连接，且场效应管Q4的...

【专利技术属性】
技术研发人员：方彬辉，
申请(专利权)人：方彬辉，
类型：新型
国别省市：湖南;43