一种直插单相三相兼容整流桥堆制造技术

本实用新型专利技术具体涉及一种直插单相三相兼容整流桥堆，包括绝缘外壳，其中绝缘外壳内设有至少四个框架,框架上设有至少二个导电芯片，绝缘外壳内设有第一连接跳线和第二连接跳线，第一连接跳线和第二连接跳线分别与导电芯片相电连接，框架上还连接有引线脚，第一连接跳线连接于绝缘外壳左侧的框架上，第二连接跳线连接于绝缘外壳右侧的框架上,有益效果是：1、解决整流电源在单相电和三相电环境下的兼容性使用，让桥堆做很少的变更即可实现单相整流和三相整流的兼容；2、采用GPP芯片，将电流能力由原来的35A提高到55A。

【技术实现步骤摘要】

本技术具体涉及一种直插单相三相兼容整流桥堆。
技术介绍
目前，整流桥因其工作可靠，安装方便而广泛应用于电子电器产品中。根据整流桥使用环境的不同，分为单相整流桥和三相整流桥，单相整流桥主要为单列直插的结构，而三相整流桥主要为模块的结构，两者在外观上有很大差别。现有的整流桥，在可操作性方面面临很多现实问题。问题一:整流电源中，因单相整流桥和三相整流桥在外型上有很大差别，所以在更换整流桥时会出现线路引脚焊接孔不匹配，如单相产品一般为焊接，三相一般为插接或螺钉锁紧，造成线路不匹配问题。问题二:对于单列直插整流桥，额定整流电流为IA至35A，电流偏小，无法应用到需要更大电流的地方。随着产品技术的进步，行业希望整流电源要求在不同线路下具有兼容性和通用性，使整流电源能既能在单相电下使用，又能在三相电上使用，且更换元器件操作方便。通过以下的结构解决现有整流桥的不足之处。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有技术的不足，提供了一种直插单相三相兼容整流桥堆，使整流电源能既能在单相电下使用，又能在三相电上使用，且更换元器件操作方便。本技术是陈述的一种直插单相三相兼容整流桥堆，包括绝缘外壳，其中绝缘外壳内设有至少四个框架，框架上设有至少二个导电芯片，绝缘外壳内设有第一连接跳线和第二连接跳线，第一连接跳线和第二连接跳线分别与导电芯片相电连接，框架上还连接有引线脚，第一连接跳线连接于绝缘外壳左侧的框架上，第二连接跳线连接于绝缘外壳右侧的框架上。另外，根据本技术的一种直插单相三相兼容整流桥堆，还具有如下附加技术特征:根据本技术的一些实施例，具体进一步，所述框架分为第一框架、第二框架、第三框架、第四框架和第五框架，第一框架、第二框架、第四框架和第五框架分别延伸出引线脚，导电芯片分为第一导电芯片、第二导电芯片、第三导电芯片、第四导电芯片、第五导电芯片和第六导电芯片。具体进一步，所述第一导电芯片和第六导电芯片置于第二框架上，第三导电芯片和第四导电芯片置于第四框架。 具体进一步，所述第二导电芯片和第五导电芯片置于第三框架上。具体进一步，所述引线脚分为第一引线脚、第二引线脚、第三引线脚、第四引线脚和第五引线脚；第一框架与第一引线脚相连接，第二框架与第二引线脚相连接，第四框架与第四引线脚相连接，第五框架与第五引线脚。具体进一步，所述第三引线脚与第三框架相电连接。具体进一步，所述导电芯片是GPP芯片。具体进一步，所述第一连接跳线的一端电连接于第一框架上，第二连接跳线的一端电连接于第五框架上。本技术的有益效果是:1、解决整流电源在单相电和三相电环境下的兼容性使用，让桥堆做很少的变更即可实现单相整流和三相整流的兼容；2、采用GPP芯片，将电流能力由原来的35A提高到55A。【附图说明】图1是本技术的单相整流桥堆电连接的结构示意图。图2是本技术的三相整流桥堆电连接的结构示意图。以下附图标注说明绝缘外壳10 ;第一框架21、第二框架22 ;第三框架23 ;第四框架24 ;第五框架25 ;第一引线脚31 ;第二引线脚32 ;第三引线脚33 ;第四引线脚34 ;第五引线脚35 ;第一导电芯片41 ;第二导电芯片42 ;第三导电芯片43 ;第四导电芯片44 ;第五导电芯片45 ;第六导电芯片46 ;第一连接跳线51 ;第二连接跳线52。【具体实施方式】下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。下面参考图1和图2描述根据本技术实施例的一种直插单相三相兼容整流桥堆，包括绝缘外壳10，其中绝缘外壳10内设有至少四个框架，框架上设有至少二个导电芯片，绝缘外壳10内设有第一连接跳线51和第二连接跳线52，第一连接跳线51和第二连接跳线52分别与导电芯片相电连接，框架上还连接有引线脚，第一连接跳线51连接于绝缘外壳10左侧的框架上，第二连接跳线52连接于绝缘外壳10右侧的框架上。其中解决整流电源在单相电和三相电环境下的兼容性使用，让桥堆做很少的变更即可实现单相整流和三相整流的兼容。另外，根据本技术的一种直插单相三相兼容整流桥堆，还具有如下附加技术特征:根据本技术的一些实施例，具体进一步，所述框架分为第一框架21、第二框架22、第三框架23、第四框架24和第五框架25，第一框架21、第二框架22、第四框架24和第五框架25分别延伸出引线脚，导电芯片分为第一导电芯片41、第二导电芯片42、第三导电芯片43、第四导电芯片44、第五导电芯片45和第六导电芯片46。具体进一步，所述第一导电芯片41和第六导电芯片46置于第二框架22上，第三导电芯片43和第四导电芯片44置于第四框架24。具体进一步，所述第二导电芯片42和第五导电芯片45置于第三框架23上。具体进一步，所述引线脚分为第一引线脚31、第二引线脚32、第三引线脚33、第四引线脚34和第五引线脚35 ;第一框架21与第一引线脚31相连接，第二框架22与第二引线脚32相连接，第四框架24与第四引线脚34相连接，第五框架25与第五引线脚35。具体进一步，所述第三引线脚33与第三框架23相电连接。具体进一步，所述导电芯片是GPP芯片。其中本结构采用GPP芯片，将电流能力由原来的35A提高到55A，适应应用到需要更大电流的地方。具体进一步，所述第一连接跳线51的一端电连接于第一框架21上，第二连接跳线52的一端电连接于第五框架25上。采用以上结构可以达到:1、结构对称，导电芯片位置分布合理，因而使每个导电芯片的散热铜基板面积均匀且充分利用，有利于4个导电芯片发热均匀，有效降低芯片工作温度；2、只需做很少变更，就可以实现单相整流和三相整流的兼容。当需要三相整流使用时，需要同时焊接6个导电芯片，例如采用第一导电芯片41、第二导电芯片42、第三导电芯片43、第四导电芯片44、第五导电芯片45和第六导电芯片46，即可实现三相整流用，如图1所示；当需要单相整流使用时，只需要焊接4个导电芯片，例如采用第一导电芯片41、第三导电芯片43、第四导电芯片44和第六导电芯片46，切除第三引线脚33，就可以实现单相整流，如图2所示；3、该产品通过适当增加体积和芯片大小的方式，将单列直插整流桥产品的电流通过能力从35A提高到55A ;4、该产品上共有两个螺丝孔，通过双螺钉锁紧的方式，确保产品的散热可靠；5、该产品选取采用PLCVD工艺制造的GPP芯片，该工艺一般应用于集成电路芯片工艺，采用双面扩散技术，芯片设计采用台面腐蚀+SIPOS保护+氮化硅保护+沟槽玻璃钝化技术，合理设置PN结基区宽度，从而最大限度降低表面电场影响，提升击穿电压和浪涌通过能力，并具有很好的高温稳定性能，确保产品在电机堵转电流异常增大的情况下仍具有较好的过载电流通过能力。以上仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种直插单相三相兼容整流桥堆，包括绝缘外壳(10)，其特征在于:绝缘外壳(10)内设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直插单相三相兼容整流桥堆，包括绝缘外壳（10），其特征在于：绝缘外壳（10）内设有至少四个框架,框架上设有至少二个导电芯片，绝缘外壳（10）内设有第一连接跳线(51)和第二连接跳线(52)，第一连接跳线(51)和第二连接跳线(52)分别与导电芯片相电连接，框架上还连接有引线脚，第一连接跳线(51)连接于绝缘外壳（10）左侧的框架上，第二连接跳线(52) 连接于绝缘外壳（10）右侧的框架上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐海洪，
申请(专利权)人：佛山市顺德区瑞淞电子实业有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44