制造远紫外光刻掩模的方法技术

一种制造远紫外（ＥＵＶ）光刻掩模的方法，包括：在衬底上形成反射层、吸收层和抗蚀剂层；通过以固定间距部分分割所述抗蚀剂层来限定多个分割区域；实施曝光工艺，其中在分割区域上用不同强度的电子束辐射曝光区域，以产生注入抗蚀剂层的电子束剂量差异；通过实施显影工艺来移除其中注入电子束剂量的抗蚀剂层的一部分，形成选择性暴露吸收层并具有倾斜侧壁外形的抗蚀剂层图案；和通过依次蚀刻通过所述抗蚀剂层图案暴露的吸收层的部分来形成具有倾斜侧壁外形的吸收层图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术通常涉及远紫外(extreme ultraviolet, EUV)光刻法，并且更 具体涉及制造EUV光刻掩模的方法。
技术介绍
随着半导体器件变得更加高度集成和设计规则降低，半导体器件所需 的图案尺寸已经变得更微细。另一方面，用于光刻设备的光波长变得越来 越短，光刻设备的数值孔径(NA)已经达到其极限。因此，已经开发了克 服图案极限分辨率的技术，例如浸没式光刻、双图案化技术(DPT)和远 紫外(EUV)光刻法。EUV光刻工艺4吏用其波长短于KrF或ArF光的EUV来形成小于32 nm的图案。在用于EUV光刻法的掩模中，在衬底上布置其中MO/Si层 重复堆叠的>^射层，并且在^JH"层上布置具有待转移到晶片上的图案形状 的吸收图案。当EUV辐射到EUV光刻掩模上时，EUV在吸收层图案处 吸收并且在^^射层表面处反射。在EUV光刻工艺中辐射的EUV以相对于掩模表面倾斜的入射角例如 5~6°的入射角而不是垂直地进行辐射或反射。此时，上覆吸收层图案和下 层反射层之间的高度差可导致其中EUV不辐射或反射的阴影部分 (shadow portion )。因此，由吸收层图案产生阴影本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造远紫外（ＥＵＶ）光刻掩模的方法，包括：　在衬底上依次形成反射层、吸收层和抗蚀剂层；　限定所述抗蚀剂层的曝光区域；　通过以规则间距部分分割所述曝光区域来限定多个分割区域；　通过在所述各个分割区域上利用具有不同强 度的电子束辐射所述曝光区域以产生注入所述抗蚀剂层的电子束剂量的差异，来实施曝光工艺；　通过实施显影工艺来移除其中注入所述电子束剂量的所述抗蚀剂层的部分，形成选择性暴露所述吸收层和具有倾斜侧壁外形的抗蚀剂层图案；和　通过依次蚀刻由 所述抗蚀剂层图案暴露的所述吸收层的部分，形成具有倾斜侧壁外形的吸收层图案。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴宬贤，崔容奎，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]