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一种制造远紫外（ＥＵＶ）光刻掩模的方法，包括：在衬底上形成反射层、吸收层和抗蚀剂层；通过以固定间距部分分割所述抗蚀剂层来限定多个分割区域；实施曝光工艺，其中在分割区域上用不同强度的电子束辐射曝光区域，以产生注入抗蚀剂层的电子束剂量差异；通过...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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