对非易失性存储器件进行编程的方法技术

根据一种对非易失性存储器件进行编程的方法的一方面，输入第一编程操作命令，并根据编程起始电压存储部件中存储的编程起始电压来执行编程操作。这里，在当执行编程操作时被编程为高于验证电压的存储单元第一次出现的时间点所施加的编程电压被更新为编程起始电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种和一种多级单 元(mlc)编程方法。
技术介绍
近来,对于可电编程和擦除并且不需要以特定间隔重写数据的刷新功 能的非易失性存储器件的需求已不断增长。非易失性存储单元是实现电编程/擦除操作的元件，非易失性存储单 元被配置成通过随着电子迁移而改变其阈值电压来执行编程和擦除操作， 其中电子响应于100埃或更薄的薄氧化物层上所施加的强电场而发生迁 移。非易失性存储器件通常包括存储单元阵列，其中以矩阵形式布置用 于存储数据的单元；以及页面緩冲器，用于将数据写入存储单元阵列的特 定单元中或者读取特定单元中存储的数据。页面緩冲器包括位线对，连 接到特定存储单元；寄存器，用于暂时存储待写入存储单元阵列中的数据， 或者读M储单元阵列的特定单元的数据并暂时存#^取的数据；感测节 点，用于感测特定位线或特定寄存器的电压电平；以及位线选择部件，用 于控制是否将特定位线连接到感测节点。作为一种对该非易失性存储器件进行编程的方法，递增阶i^冲编程 (ispp)方法已为人所知。亦即，通过将编程起始电压恒定地增加阶跃 电压来执行编程操作。然而，随着编程和擦除操作次数的增加，存储单元 的编程速度增大。此外，即使施加低的编程起始脉冲，存储单元的阁值电 压的改变仍增大。如果如上所述那样将编程起始电压固定于特定值，则阈值电压的改变因编程/擦除次数的增加而变大。因此，可能出现阈值电压 分布增宽的问题。
技术实现思路
本专利技术涉及一种和一种MLC编 程方法，其中可根据编程状态可变地设置编程起始电压而无需将编程起始 电压固定于特定值。根据本专利技术的 一方面的 一种包 括输入第一编程操作命令；并且根据编程起始电压存储部件中存储的编 程起始电压来执行编程操作。这里，在当执行编程操作时被编程为高于验 证电压的存储单元第一次出现的时间点所施加的编程电压被更新为编程 起始电压。根据本专利技术的另 一方面的 一种对非易失性存储器件的编程方法包括 根据编程起始电压存储部件中存储的编程起始电压来执行第n编程操作 命令；将在当执行编程操作时被编程为高于B电压的存储单元第一次出 现的时间点所施加的编程电压更新为编程起始电压；并且根据更新的编程 起始电压来执行第(n+l)编程操作命令。根据本专利技术的又一方面的一种对非易失性存储器件的MLC编程方法 包括输入第一编程操作命令；根据第一逻辑页面编程起始电压存储部件 中存储的第一逻辑页面编程起始电压来执行第一逻辑页面编程操作；将在 当执行第 一逻辑页面编程操作时被编程为高于最低验证电压的存储单元 第一次出现的时间点所施加的编程电压更新为第一逻辑页面编程起始电 压；完成第一逻辑页面编程操作；根据第二逻辑页面编程起始电压存储部 件中存储的第二逻辑页面编程起始电压来执行第二逻辑页面编程操作；将 在当执行第二逻辑页面编程操作时被编程为高于最低验证电压的存储单 元第一次出现的时间点所施加的编程电压更新为第二逻辑页面编程起始 电压；并且完成第二逻辑页面编程操作，由此完成第一编程操作命令的执 行。才艮据本专利技术的再一方面的一种对非易失性存储器件的n位MLC编程 方法包括输入第m编程操作命令；并且根据分别存储在第一至第n逻 辑页面编程起始电压存储部件中的第一至第n逻辑页面编程起始电压来 依次执行第一至第n逻辑页面编程操作。这里，在当执行每个逻辑页面的编程操作时被编程为高于最低验证电压的存储单元第 一次出现的时间点 所施加的编程电压被更新为每个逻辑页面编程起始电压。附图说明图1是示出了在对典型非易失性存储器件的ISPP中施加第一脉冲时 的阈值电压分布的改变的图；图2是示出了在对非易失性存储器件的ISPP中设置第一脉冲的电压 电平的方法的图；图3是示出了应用于本专利技术的非易失性存储器件的配置的框图；图4图示了根据本专利技术的一个实施例的编程起始电压存储部件的各 种形式；图5是图示了根据本专利技术的一个实施例的对非易失性存储器件的编 程方法的流程图；以及图6是图示了根据本专利技术的另一个实施例的对非易失性存储器件的 编程方法的流程图。具体实施方式现在将参照附图描述根据本专利技术的特定实施例。然而，本专利技术不限于 所公开的实施例，而是可以按各种方式来实施。提供这些实施例来完成本 专利技术的公开并允许本领域的普通技术人员理解本专利技术的范围。本专利技术由权 利要求的范畴来限定。图1是示出了在对典型非易失性存储器件的ISPP中施加第一脉冲时 的阈值电压分布的改变的图。如图1中所示，如果ISPP的第一脉冲被施加于处于擦除状态的单元 11，则单元的阈值电压上升，因此阈值电压分布12右移。然而，在对非 易失性存储器件重复执行编程/擦除操作的情形下，存在编程速度因存储 单元的特性而变快的趋势。亦即，如果在编程/擦除次数增加的情况下施 加第一编程脉冲，则如分布13中那样的阈值电压分布与分布12相比在范 围上增大。概括而言，随着非易失性存储器件的编程/擦除次数的增加，伴随着在ISPP中施加第一脉冲而发生的阈值电压的改变增大。已知存在这样的 方法鉴于如上所述那样才艮据编程/擦除次数的增加而发生的编程速度的 改变，来降低第一脉冲的电压电平并施加降低的电压。图2示出了在对非易失性存储器件的ISPP中设置第一脉冲的电压电 平的方法的图。在企图将处于擦除状态的单元21编程为具有验证电压(Vver)或更 高电压的情形下，亦即，在要形成处于编程状态的单元22的情形下，鉴 于根据编程/擦除次数的增加而发生的施加第 一编程脉冲时阈值电压的改 变，来设置编程起始电压。换言之，编程起始电压设置成使得当施加第一编程电压时阈值电压改 变最快的单元的阈值电压成为第一电压(Vl)。鉴于根据编程/擦除次数 的增加而发生的施加第一编程脉冲时阈值电压的改变，来确定aSi电压 Vver与第一电压(VI)之差Va。例如，假设在执行了一个编程/擦除操作之后，施加第一编程脉冲时 的第一电压(VI)是0.1V，而在执行了 1000个编程/擦除操作之后，施 加第一编程脉冲时的第一电压(VI)是I.IV，则根据第一编程脉冲的施 加而发生的阈值电压的改变是1V。因而，在执行1000个编程/擦除操作 的情形下，鉴于此改变将编程起始电压设置成使得施加第 一编程脉冲时的 第一电压(VI)变成0.1V。然而，在此情形下，鉴于编程/擦除次数的增加来将编程起始电压本 身设置为低，且设置的编程起始电压是固定的。因此，当编程/擦除次数 小时，第一编程脉冲充当不起特别作用的哑编程脉冲。亦即，出现M编 程i!JL降低的问题。因而，本专利技术提供了一种根据编程/擦除次数的改变来可变地设置编 程起始电压的方法。图3是示出了应用于本专利技术的非易失性存储器件的配置的框图。非易失性存储器件300包括控制器310、电压供应部件320和存储单 元330。控制器310控制非易失性存储单元的编程操作、擦除操作、读取操作、 ￡操作等。亦即，控制器310根据外部输入的控制信号来控制外部输入 的数据被编程到具有期望地址的存储单元中，并且控制特定地址的存储单 元中存储的数据被读取。此外，控制器310在执行编程操作时根据外部输检查是否已完成编程的l^操作。在执行各种操作 时，控制器310激活特定地址的存储单元并且控制适合于每种操作的电压 被施加。同时，控制器310包括编程起始电压存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对非易失性存储器件进行编程的方法，包括：　输入第一编程操作命令；并且　根据编程起始电压存储部件中存储的编程起始电压来执行编程操作，　其中在当执行所述编程操作时被编程为高于验证电压的存储单元第一次出现的时间点所施加的编程 电压被更新为编程起始电压。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王钟铉，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]