【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体集成电路布局方法，具体涉及一种能够以高集成密度改善冷却效率、降低电阻并提高装配效率的半导体器件。另外，日本专利公开说明书6-342991公开了一种如图7所示的半导体器件。在图7中，端面为六边形的加长主体基片51被捆扎在一起，半导体器件52被安装在其外露表面上。在主体基片51的六角平面上形成引线53以与半导体器件52相连。另外，相邻基片的引线53彼此相互接触相连。冷却剂流经加长的主体基片51的中空的中心54从而冷却半导体器件52。在图6所示的常规技术中，冷却剂在内部流动，从而冷却半导体器件。但是，引线用于半导体器件之间的连接，这会增加电阻。另外，还需要装配大量的单元基片，以形成冷却剂流动的空间，并且单元基片之间的连接还要使用连接器。因此，这需要大量的装配步骤。另外，由于每个半导体器件都是独立安装，因此会进一步增加装配步骤的数量。另一方面，在图7所示的常规技术中，内部流动的冷却剂可以冷却半导体器件。但是，与图6的方法一样，由于半导体器件之间的连接要使用引线，这就会增加电阻。另外，因为每个半导体器件都是独立安装，因此会增加装配步骤的数量。而...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：带状布线基片；半导体元件，设置在带状布线基片的一个主表面上；焊球或凸起电极，设置在带状布线基片的另一个表面上，同时与包括半导体元件的带状布线基片的主表面的预定位置电连接；以及空心管形基片；其中带状布 线基片以其主表面朝向空心管形基片的方式缠绕在空心管形基片上。
【技术特征摘要】
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