配线基板及其制造方法技术

一种配线基板，其包括：　　　　具有表面的绝缘性基板；　　　　第一导电层，其具有设于所述绝缘性基板的表面上的第一面和设于所述第一面的相反一侧并且其宽度小于所述第一面的宽度的第二面；　　　　设于所述第一导电层的所述第二面上的第二导电层；　　　　覆盖所述第一导电层和所述第二导电层的第三导电层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有形成于绝缘性基板上的导电层的。
技术介绍
在用于制造具有细微导电层的配线基板的现有半加法(セミアデイテイブ法；semiadditive)中，在绝缘性基板上形成薄的第一导电层，在导电层上设置形成为规定的图案的感光性树脂。在从第一导电层的感光性树脂露出的部分上形成第二导电层。然后，将去除第一导电层的感光性树脂而露出的部分蚀刻去除，得到配线基板。在特开2004-95983号公报所公开的方法中，在绝缘性的基板上形成第一金属膜，利用化学研磨使该膜变薄，在基板上形成薄的底层。然后，在底层上形成掩模图案，在从底层的掩模图案露出的部分上利用电解镀敷形成第二金属膜。之后通过镀敷在第二金属膜上形成第三金属膜。然后，剥离掩模图案，去除底层露出的多余部分，形成由底层、第二金属膜以及第三金属膜构成的配线图案。在去除底层多余部分时由第二金属膜保护底层的基板和第二金属膜之间的部分，能够防止底层从基板剥落。由上述方法形成的具有细微导体图案的配线基板，具有导体图案对高频信号的阻抗增大的情况。
技术实现思路
本专利技术的配线基板具有绝缘性基板、绝缘性基板上的第一导电层、第一导电层上的第二导电层、覆盖第一导电层和第二导电层的第三导电层。第一导电层具有设于绝缘性基板表面上的面，和设于所述面的相反一侧并且宽度小于所述面的面。该配线基板中，即使在导电层流动的信号频率增大，阻抗的增加也很小。附图说明图1是表示本专利技术实施例1的配线基板的制造方法的剖面图；图2是表示实施例1的配线基板的制造方法的剖面图；图3是表示实施例1的配线基板的制造方法的剖面图；图4是表示实施例1的配线基板的制造方法的剖面图；图5是表示实施例1的配线基板的制造方法的剖面图；图6是表示实施例1的配线基板的制造方法的剖面图；图7是表示实施例1的配线基板的制造方法的剖面图；图8是表示本专利技术实施例2的配线基板的制造方法的剖面图；图9是表示实施例2的配线基板的制造方法的剖面图；图10是表示实施例2的配线基板的制造方法的剖面图；图11是表示实施例2的配线基板的制造方法的剖面图；图12是表示实施例2的配线基板的制造方法的剖面图；图13是表示实施例2的配线基板的制造方法的剖面图；图14是表示实施例2的配线基板的制造方法的剖面图；图15是表示实施例2的配线基板的制造方法的剖面图。具体实施例方式(实施例1)图1～图7是表示本专利技术实施例1的配线基板的制造方法的剖面图。图1是具有填充有导电性材料5的贯通孔4的绝缘性基板1的剖面图。在将芳香族聚酰胺树脂和玻璃等绝缘性纤维织成布状的玻璃纤维织物(玻璃织物)的纤维片2上含浸环氧树脂，在纤维片2的两面上形成由含浸的环氧树脂构成的例如厚度5～20μm的树脂层3，形成作为玻璃环氧基板的绝缘性基板1。在绝缘性基板1上通过二氧化碳气体激光等的光学方法和钻孔等的机械方法形成贯通孔4。在贯通孔4上通过印刷或来自喷嘴的喷射等而填充有相对树脂混入30～80％体积的1～50μm的铜粒子的糊状的导电性材料5。纤维片2(玻璃纤维)的纵向和横向的温度等环境影响的尺寸变化由玻璃纤维的热膨胀系数等物理参数决定。在由物理参数已知的玻璃纤维构成的纤维片2中，容易根据尺寸变化设定导体图案的位置和与其他导体图案的位置。绝缘性基板1最好由陶瓷膜和树脂膜构成。通过在树脂层3中混入30～90％容量的粒子直径1～100μm的玻璃和氧化铝等绝缘性粒子，能够防止在贯通孔4中填充的导电性材料5的铜粒子由于后工序中的冲压的压力而向树脂层3流出的情况。接下来，如图2所示，例如通过真空热压将由铜等金属构成的导电层7粘接在基板1的表面1A即树脂层3和导电性材料5上。导电层7由细密的固体层7A和在固体层7形成的比固体层7A粗糙的粗糙化层6构成。即，导电层7具有细密的上面7B(固体层7A的上面7B)和比上面7B糙面化的下面7F(粗糙化层6)。图2中，粗糙化层6被埋入绝缘性基板1的表面1A即树脂层3和导电性材料5各表面3A、5A中。在将导电性材料5填充到贯通孔4中的绝缘性基板1的两面形成导体图案而形成两面配线基板时，在绝缘性基板1的两面配置具有粗糙化层6的导电层7并进行真空热压。利用该真空热压，能够防止在粗糙化层6与导电性材料5、树脂层3的粘接界面残留空气和气体等。该真空热压的温度是100～260℃。然后再次真空热压时，第一次的真空热压在低于环氧树脂的玻璃化转变温度的120℃左右进行，为了使环氧树脂完全固化而在高于玻璃化转变温度的240℃左右进行真空热压。因为利用真空热压对填充到贯通孔4中的导电性材料5进行压缩，故牢固地粘合导电层7的粗糙化层6和导电性材料5，利用粗糙化层6的凹凸来增大与导电性材料5的接触面积。由此，能够减小导电性材料5与导电层7的电连接电阻。另外，粗糙化层6咬入树脂层3而使得导电层7难以从树脂层3剥落。粗糙化层6的凹凸越大上述效果越显著，在1～10μm的情况下特别有效。粗糙化层6的凹凸超过10μm，则在后面的蚀刻工序中对粗糙化层6的侧面进行大的侧蚀刻，使得导体图案变窄而形状发生很大变化，不能得到细微的图案。导电层7的厚度最好为0.5μm～5μm。由此，在对利用镀敷在其上形成有金属层的导电层7进行蚀刻时，在绝缘性基板1和粗糙化层6的界面，导电层7(粗糙化层6)与其他部分相比不会被过度地蚀刻，能够得到良好形状的导电层7。利用这样的结构，在多个绝缘层具有内部通孔(IVH)的多层基板上，无论其他层的贯通孔的位置如何，能够在任意的位置实施层间导通，特别是能够在最外层上的任意位置安装部件。然后，如图3所示，在导电层7的固体层7A的上面7B的不形成导体图案的区域7D上形成由感光性树脂构成的掩模8。将感光性树脂的干膜抗蚀剂加热压接在导电层7的上面7B上，或者利用旋转涂敷和滚动涂敷在导电层7的上面7B上涂附液态抗蚀剂，使用光致掩模将感光性树脂曝光，可通过其后的显影容易地形成掩模8。掩模8能够在小于或等于1μm的误差范围内形成与光致掩模几乎相同的尺寸，特别是液态抗蚀剂与干膜抗蚀剂相比能够将掩模8形成得更薄，可得到1～10μm的分辨率。掩模8比在接下来的工序中由镀敷形成的层还要薄，在镀敷工序之后，能够更加容易地去除掩模8。然后，如图4所示，在导电层7的上面7B未被掩模8掩盖的区域7E上利用电镀形成导电层9。导电层9由与导电层7相同的金属材料的铜形成。通过利用以添加了光泽剂的硫酸铜水溶液为主要成份的电解液进行电镀，导电层9可与其宽度W9无关地均匀形成厚度T9并且平坦。在电镀中通过将电流密度设定在小于或等于10A/dm2，理想的是1～6A/dm2，能够均匀且致密地形成导电层9的厚度T9。一般，利用电流密度改变导电层9的结晶粒的大小和密度，电流密度越小越能够得到高密度的结晶粒，能够致密地形成导电层9。由于结晶粒越致密，蚀刻速度越慢，故结晶粒小为好。然后，如图5所示，通过去除掩模8露出导电层7的上面7B的区域7D。然后，如图6所示，利用蚀刻去除导电层7的固体层7A和粗糙化层6的区域7D的部分，在剩下的固体层107A和粗糙化层106以及导电层9形成由导电层107、9构成的所希望的导体图案20。也可以在该蚀刻之前覆盖导电层9形成对蚀刻液具有抵抗性的掩模层。该掩模层可利用焊锡形成，也可以通过连续电镀锡、镍、铝等或者通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：须川俊夫，东谷秀树，御崎拓己，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：