【技术实现步骤摘要】
改善变形的半导体封装基板技术领城本专利技术涉及一种半导体封装载体，特别是涉及一种改善变形的半导体 封装基板。
技术介绍
现有的半导体封装基板可运用于半导体封装作业承载晶片，半导体封装 基板应具有电性互连、耐高温与可承载晶片的抗变形等特性。在半导体封 装作业中，晶片接合与封胶体固化皆会使基板处于高温状态，晶片接合需 要的温度较高但时间短，封胶体固化需要的温度较低但时间长。特别是可 挠性/软性基板，在烘烤炉内长时间的加热加上承载晶片的重量，基板的两 传输侧至晶片側的区段容易发生变形的下沉塌陷，影响产品的外观，甚至 会导致后续表面接合的困难。如附图说明图1所示，现有的薄膜覆晶型半导体封装构造包括一半导体封装基板100的一单元、 一晶片10以及一封胶体20。该晶片lO具有多数个凸块ll， 以接合至该半导体封装基板100。并且，该封胶体20形成于该半导体封装 基板100上，密封该些凸块ll。如图1及图2所示，该半导体封装基板100包括一可挠性介电层110、 多数个引脚120以及一防焊层130。该些引脚120形成于该可挠性介电层 IIO上。该防焊层BO形成于该可挠性介电层IIO上，...
【技术保护点】
一种改善变形的半导体封装基板，其特征在于包括：一可挠性介电层；多数个引脚，其形成于该可挠性介电层上；至少一补强金属图案，其形成于该可挠性介电层上，以填补该可挠性介电层的引脚留白区，其中该补强金属图案为网状；以及 一防焊层，其形成于该可挠性介电层上，以局部覆盖上述的引脚。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李明勋，洪宗利，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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