增加引脚强度的半导体封装载膜与封装构造制造技术

本发明专利技术是关于一种增加引脚强度的半导体封装载膜与封装构造，主要包含一可挠性介电层、复数个形成于该可挠性介电层上的引脚、一补强金属层以及一局部覆盖该些引脚的防焊层。其中至少一引脚是具有一弯折点，其是被该补强金属层所覆盖。并且，该防焊层更覆盖该补强金属层。借此可防止该些引脚受应力拉扯而在弯折点造成断裂的问题；另揭示使用该载膜的半导体封装构造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种适用于半导体封装的晶片栽体，特别是涉及一种增加 引脚强度的半导体封装栽膜以及使用该栽膜的半导体封装构造。#狄*依据半导体产品的适用性与用途变化的不同，其晶片载体可以选用印 刷电路板、导线架与电路薄膜，其中电路薄膜具有可挠曲性与薄化的优点。例如，目前的巻带式承栽封装(Tape Carrier Package, TCP)与薄膜覆晶封装 (Chip-On-Filai package, COF)皆是采用电路薄膜作为晶片栽体。在封装之前， 电路薄膜是一巻带中的一单元，而能以巻带传输方式进行半导体封装作业。如图1及图2所示，现有习知半导体封装栽膜100包含一可挠性介电 层110、复数个引脚120以及一防焊层130。该些引脚120是形成于该可挠 性介电层110上，而该防焊层130是局部覆盖该些引脚120。大部份的引脚 120是可区分为一外引脚122、 一斜向的扇出线123以及一内引脚124，该 些扇出线123是连接该些内引脚124与该些外引脚122，而使该些外引脚 122能更加分散。如图2所示，该些引脚120的表面是形成有一电镀层140， 而该电镀层140在外引脚122上的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种增加引脚强度的半导体封装载膜，其特征在于包含：一可挠性介电层；复数个引脚，其是形成于该可挠性介电层上，其中至少一引脚是具有一弯折点；一补强金属层，其是局部形成于该引脚上，以覆盖该弯折点；以及一防焊层，其是 形成于该可挠性介电层上，以至少覆盖该些引脚的一部位以及该补强金属层的一部位。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘光华，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]