本发明专利技术公开了一种通过电操作放电产生辐射的设备，所述设备具有第一电极（喷嘴２１ａ产生）、第二电极和电容器组（２４）。该电极被彼此间隔一定距离配置以便允许等离子体激发。该电容器组的第一终端（Ａ）电连接到该第一电极而第二终端（Ｂ）电连接到该第二电极，并被配置成存储放电能量。该电极和电容器组组成电路。至少该第一电极通过经由第一馈送管线（４５）提供的电传导流体形成。该设备还具有充电器（５１）和第一高电感单元（５０）。该充电器连接到所述终端中的至少一个。该第一高电感单元被设置在该第一馈送管线中的该第一终端上游以电解耦该电路。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种辐射发生装置， 一种光刻设备， 一种器件制造方法及 其制造的器件。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在 这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(retide)的图案形成装置用于 生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例 如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、 一个或多个管芯) 上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材 料(抗蚀剂)层上。通常，单独的衬底将包含连续形成图案的相邻目标部 分的网络。公知的光刻设备包括步进机，在所述步进机中，通过将全部 图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及扫描器，在 所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向("扫描"方向)扫描所述图案、 同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标 部分。还可以通过将所述图案压印(imprinting)到所述衬底上，将所述图 案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。在光刻设备中，能够被成像在衬底上的特征的尺寸受到辐射束波长的 限制。为了产生具有更高器件密度以及随之而来的更高操作速度的集成电 路，需要能够成像更小特征。虽然大多数现有的光刻投影设备使用由汞灯 或准分子激光器产生的紫外光，但是也己经提出了可以采用较短波长辐 射，例如，大约13nm。这种辐射是所谓的极紫外线(EUV)或软X射线， 并且可能的光源包括激光诱导的等离子体源和放电等离子体源。这些源利 用高电压并且需要操作者在操作中注意安全。
技术实现思路
考虑到现有技术，需要提供一种产生具有改进的性能的辐射的设备。为此，在实施例中，本专利技术提供一种通过电操作放电产生辐射的设备。 该设备包括第一电极和第二电极，该第一和第二电极被彼此间隔一定距离 配置，以便允许该第一和第二电极之间的气态介质的等离子体激发；在第 一终端电连接到该第一电极而在第二终端电连接到该第二电极的电容器 组，该电容器组被配置成存储等离子体激发所需的放电能量，该第一电极、 第二电极和电容器组组成电路，其中至少该第一电极通过经由第一馈送管 线提供的电传导流体形成。该设备还可以包括连接到该第一和第二终端中的至少一个以时间改 变的方式给该电容器组充电的充电器；提供在该第一馈送管线中的该第一 终端上游以电解耦该电路的第一高电感单元。此外，本专利技术提供一种光刻设备，包括配置成调节辐射束的照射系 统；配置成支撑图案形成装置的支架，该图案形成装置被配置成将图案在 该辐射束的横截面上赋予该辐射束以形成图案化的辐射束；配置成保持衬 底的衬底台；以及配置成将该图案化的辐射束投影到该衬底的目标部分上 的投影系统，其中该照射系统包括这种通过电操作放电产生辐射的设备。另外，本专利技术提供一种利用这种光刻设备制造的器件。本专利技术同样涉及一种通过电操作放电产生辐射的设备。该设备包括第 一电极和第二电极，该第一和第二电极被彼此间隔一定距离配置以便允许 该第一和第二电极之间的气态介质的等离子体激发；在第一终端电连接到 该第一电极而在第二终端电连接到该第二电极的电容器组，该电容器组被 配置成存储等离子体激发所需的放电能量，该第一电极、第二电极和电容 器组组成电路，其中该第一电极通过经由第一馈送管线提供的电传导流体 形成，并且该第二电极通过经由第二馈送管线提供的电传导流体形成，该 第一馈送管线包括配置成以一定材料的第一喷射流形式提供该第一电极 的第一喷嘴，并且该第二馈送管线包括配置成以一定材料的第二喷射流形 式提供该第二电极的第二喷嘴。该设备还可以包括以时间改变的方式给该电容器组充电的充电器；提 供在该第一馈送管线中的该第一终端上游的第一高电感单元，该第一高电感单元包括该第一馈送管线的第一线圈形状部分；提供在该第二馈送管线 中的该第二终端上游的第二高电感单元，该第二高电感单元包括该第二馈 送管线的第二线圈形状部分。附图说明在此仅借助示例，参照所附示意图对本专利技术的实施例进行描述，在所 附示意图中，相同的附图标记表示相同的部分，且其中 图1描述的是根据本专利技术实施例的光刻设备； 图2描述的是根据现有技术的辐射源；图3描述的是包括能与图2中的辐射源结合使用的反馈系统的组件； 图4描述的是提供有本专利技术实施例的图3中所描述的组件； 图5描述的是图4中所描述的高电感元件的实施例；以及 图6描述的是图4中所描述的组件中的另一个位置处的高电感元件的 实施例。具体实施例方式图1示意性地示出根据本专利技术的一个实施例的光刻设备。所述设备包 括照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B (例如，紫外(UV) 辐射或极紫外(EUV)辐射)；支撑件(例如掩模台)MT，配置用于支撑 图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据确定的参数精确地定位 图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，配置 用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；以及投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS,所述投影系统PS配置用于将由图案形成装置MA赋 予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C (例如包括一根或更多根管 芯)上。所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、 磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、 成形和/或控制辐射。支撑件支撑图案形成装置，例如承担所述图案形成装置的重量。它以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否 保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑件可以 采用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术保持图案形成装置。所述支 撑件可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所 述支撑件可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系 统)。在这里任何使用的术语"掩模版"或"掩模"都可以认为与更上位 的术语"图案形成装置"同义。这里所使用的术语"图案形成装置"应该被广义地理解为表示能够用 于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成 图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标 部分上所需的图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特 征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定 的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括 掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻 中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型 相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的 示例采用小反射镜的矩阵布置，可以独立地倾斜每一个小反射镜，以便沿 不同方向反射入射的福射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射 镜矩阵反射的辐射束。应该将这里使用的术语"投影系统"广义地解释为包括任意类型的投 影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光 学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如 使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种通过电操作放电产生辐射的设备，包括： 第一电极和第二电极，所述第一和第二电极被彼此间隔一定距离配置以便允许在所述第一和第二电极之间的气态介质中激发等离子体激发； 电容器组，所述电容器组在第一终端电连接到该第一电极而在第二终端电连接到该第二电极，所述电容器组被配置成存储该等离子体激发所需的放电能量，所述第一电极、第二电极和电容器组组成电路，其中至少所述第一电极通过经由第一馈送管线提供的电传导流体形成，所述设备还包括： 充电器，所述充电器连接到所述第一和／或第二终端，配置用于以时间改变的方式给所述电容器组充电；以及 第一高电感单元，所述第一高电感单元设置在该第一馈送管线中的该第一终端上游以电解耦所述电路。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：VV伊万诺夫，VY班尼恩，VM克瑞维特森，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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