【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种包括阳极和阴极的辐射源单元，所述阳极和阴极被配置和排列为在所述阳极和阴极之间的物质中产生放电形成等离子体从而产生电磁辐射。而且，本专利技术还涉及具有上述辐射源单元的光刻投射装置，该光刻投射装置包括-辐射系统，用来提供辐射投射束；-支持结构，用来支撑构图部件，所述构图部件根据需要的图案对所述投射束构图；-基底台，用来支持基底；和-投影系统，将带图案的投射束投到基底的靶部。
技术介绍
这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给入射的辐射束赋予带图案的截面的部件，其中所述图案与要在基底的靶部上形成的图案一致；本文中也使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在靶部中形成的器件内的特殊功能层相应，如集成电路或者其它器件(如下文)。这种构图部件的示例包括掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二进制型、交替相移型和衰减的相移掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性的被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：G·G·祖卡维斯维里，V·V·艾瓦诺夫，K·N·科谢勒夫，E·D·科罗布，V·Y·班尼，P·S·安特斯菲罗夫，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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