【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于产生感应耦合的等离子体(ICP)的设备,尤其涉及包含有这样一种天线的ICP发生设备,该天线具有可以改善等离子体均匀性的结构。
技术介绍
最近,等离子体技术广泛用于半导体器件和平面显示面板制造中。等离子体用于将特定材料蚀刻或沉积在用于制造半导体器件的晶片表面上或用于制造液晶显示(LCD)面板的衬底上。尤其是,在用于制造高度集成的半导体器件的蚀刻或薄膜沉积工艺中,越来越多地使用等离子体设施。因此,适用于蚀刻、沉积或其他工艺地等离子体发生设备的研发对于半导体制造工艺和设施的发展来说是至关重要的。在用于半导体制造工艺的等离子体设备的研发中,最重要的因素是在大衬底上工作的能力,以便提高产量,以及执行用于制造高度集成器件的工艺的能力。具体地说,随着近年来晶片尺寸从200mm增大到300mm,提高晶片处理工艺的均匀性以及保持较高的等离子体密度变得非常重要。在传统半导体制造工艺中已经使用各种类型的等离子体设备,例如,电容耦合等离子体(CCP)类型、电子回旋共振(ECR)类型、螺旋类型、感应耦合等离子体(ICP)类型、以及结合前述类型中的两种或多种的混合类 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:李永东,尤里·N·托尔马切夫,金圣九,申在光,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
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