【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光刻设备的表膜隔膜、光刻设备的组件、制造表膜隔膜的方法以及表膜隔膜在光刻设备或方法中的用途。
技术介绍
1、光刻设备是构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(ic)。光刻设备可以例如将图案从图案形成装置(例如掩模)投影到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。
2、光刻设备用于将图案投影于衬底上的辐射的波长决定了可以形成于衬底上的特征的最小尺寸。相比于传统的光刻设备(其可以例如使用波长为193nm的电磁辐射)，使用euv辐射(为波长在4-20nm的范围内的电磁辐射)的光刻设备可以用于在衬底上形成更小特征。
3、光刻设备包括图案形成装置(例如掩模或掩模版)。辐射被提供通过图案形成装置或从图案形成装置反射以在衬底上形成图像。隔膜组件(也称为表膜)可以被提供以保护图案形成装置免受空气传播的颗粒和其他形式的污染。图案形成装置的表面上的污染可导致衬底上的制造缺陷。
4、还可以提供表膜用于保护除了图案形成装置之外的光学部件。表膜还可以用于在光刻设备的彼此密封的区域...
【技术保护点】
1.一种表膜隔膜，所述表膜隔膜包括在硅基基质中的金属硅化物晶体群，其中所述表膜隔膜具有0.3或更高的发射率。
2.根据权利要求1所述的表膜隔膜，其中所述表膜隔膜具有90％或更高、91％或更高、92％或更高、93％或更高、94％或更高、或者95％或更高的透射率。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的表膜隔膜，其中所述表膜隔膜包括高达约5原子％的量的氮。
4.根据前述权利要求中任一项所述的表膜隔膜，其中金属硅化物晶体具有30nm或更小的直径，和/或所述硅基基质包括直径为30nm或更小的硅晶体。
5.根据前述权利要求中任一项所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种表膜隔膜，所述表膜隔膜包括在硅基基质中的金属硅化物晶体群，其中所述表膜隔膜具有0.3或更高的发射率。
2.根据权利要求1所述的表膜隔膜，其中所述表膜隔膜具有90％或更高、91％或更高、92％或更高、93％或更高、94％或更高、或者95％或更高的透射率。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的表膜隔膜，其中所述表膜隔膜包括高达约5原子％的量的氮。
4.根据前述权利要求中任一项所述的表膜隔膜，其中金属硅化物晶体具有30nm或更小的直径，和/或所述硅基基质包括直径为30nm或更小的硅晶体。
5.根据前述权利要求中任一项所述的表膜隔膜，其中金属硅化物晶体实质上垂直于所述表膜隔膜的表面排列，和/或所述硅基基质包括实质上垂直于所述表膜隔膜的表面排列的硅晶体。
6.根据前述权利要求中任一项所述的表膜隔膜，其中所述金属硅化物晶体群中的至少一些横跨所述隔膜的厚度，和/或所述硅基基质包括横跨所述隔膜的厚度的硅晶体。
7.根据前述权利要求中任一项所述的表膜隔膜，其中所述表膜隔膜是多层隔膜。
8.根据权利要求7所述的表膜隔膜，其中所述表膜隔膜包括：在包括钼硅合金的一个或多个层之间的、包括在硅基基质中的金属硅化物晶体群的层。
9.根据前述权利要求中任一项所述的表膜隔膜，其中金属硅化物晶体是硅化钼晶体。
10.根据前述权利要求中任一项所述的表膜隔膜，其中所述硅基基质包括p-si、多晶硅或sin，和/或其中所述硅基基质包括硅晶体。
11.根据前述权利要求中任一项所述的表膜隔膜，其中所述硅基基质被掺杂，可选地其中，所述硅基基质被掺杂有硼、磷和钇中的一种或多种。
12.根据权利要求11所述的表膜隔膜，其中硼、磷和钇中的一种或多种的浓度在1015cm-3至1021cm-3的数量级。
13.根据前述权利要求中任一项所述的表膜隔膜，其中所述表膜隔膜包括约10原子％的钼至约30原子％的钼，可选地包括约15原子％的钼至约25原子％的钼，可选地包括约20原...
【专利技术属性】
技术研发人员：I·唐梅兹诺扬，T·W·范德伍德，J·赖宁克，T·W·J·范德古尔，A·L·克莱因，Z·S·豪厄林，保罗·亚历山大·维梅伦，A·J·M·吉斯贝斯，J·H·克洛特韦克，L·I·J·C·贝格斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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