【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种包含一用于上拉晶体管的栅极控制电路的电路，其中，上拉晶体管（ＭＰＵ）的栅极端（Ｇ）被连接至ＶＧＣ端，上拉晶体管的源极端（Ｓ）被连接至电源电位（Ｖｄｄ），上拉晶体管的漏极端（Ｄ）被连接至焊垫（ＰＡＤ）节点，且上拉晶体管的基底（Ｂ）被连接至一Ｎ阱。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李炳云，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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