减少泄漏功率和提高电路性能的电路配置和方法技术

本发明专利技术公开了减少泄漏功率和提高电路性能的电路配置（１），包括三个电位，其中在第三电位（４）和第二电位或第一电位（３）之间配置二极管（２）以获得第三电位（４）的电位降，在第三电位（４）和第二电位之间或第三电位（４）和第一电位（３）之间配置与所述二极管（２）并联的开关（５），以改变第三电位（４）相对于第一电位（３）或第二电位的电位降，其改变的大小为所述二极管（２）的电压降，其中所述开关（５）包括具有宽晶体管沟道的晶体管。进一步，本发明专利技术还公开了通过利用所述电路配置（１）减少泄漏功率和提高电路性能的方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种减少泄漏功率和提高电路性能的电路配置（１，１１，１２，１３，１４，１５，１６），包括第一电位（３，３１，３２，３３）、第二电位（６１，６２，６３）以及位于第一电位（３，３１，３２，３３）和第二电位（６１，６２，６３）之间的第三电位（４，４１，４２，４３，４４，４５，４６），其中所述第三电位（４，４１，４２，４３，４４，４５，４６）相对于第一电位（３，３１，３２，３３）或第二电位（６１，６２，６３）具有可变电位降，其中将要提供可变输入电压的电路配置在所述第三电位（４，４１，４２，４３，４４，４５，４６）和所述第二电位（６１，６２，６３）或第一电位（３，３１，３２，３３）之间，其特征在于，在所述第三电位（４，４１，４２，４３，４４，４５，４６）和所述第二电位（６１，６２，６３）之间或所述第三电位（４，４１，４２，４３，４４，４５，４６）和所述第一电位（３，３１，３２，３３）之间配置二极管（２，２１，２２，２３，２４，２５，２６），以获得第三电位（４，４１，４２，４３，４４，４５，４６）的所述电位降，其中在第三电位（４，４１，４２，４３，４４，４５，４６）和第二电位（６１，６２，６３）之间或第三电位（４，４１，４２，４３，４４，４５，４６）和第一电位（３，３１，３２，３３）之间配置与所述二极管并联的开关（５，５１，５２，５３，５４，５５，５６），以改变第三电位（４，４１，４２，４３，４４，４５，４６）相对于第一电位（３，３１，３２，３３）或第二电位（６１，６２，６３）的电位降，其改变的大小为所述二极管（２，２１，２２，２３，２４，２５，２６）的电压降，其中所述开关（５，５１，５２，５３，５４，５５，５６）包括具有宽晶体管沟道的晶体管（５，５１，５２，５３，５４，５５，５６）。...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：T格梅克，H巴罗夫斯基，J利恩斯特拉，S埃仑赖希，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]