互补式金属氧化物半导体AB类放大器制造技术

本发明专利技术为一种互补式金氧半导体ＡＢ类放大器，其包括一可适性位准位移电路、一补偿电容及一输出晶体管对，该可适性位准位移电路则由电流镜电路、晶体二极管、开关晶体管及电流源晶体管所构成，其由串入该晶体二极管以作为偏压来驱动开关晶体管，而提供一够低的线性区电阻作为反馈，故可降低回旋电感的Ｑ值（品质因素）并有效地抑制峰值增益的发生，维持所需的边际增益。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种互补式金氧半导体ＡＢ类放大器，其特征在于，其具有一可适性位准位移电路、一补偿电容及一输出晶体管对，以接收一差动放大电路的输出，而由该可适性位准位移电路提供放大所需的直流偏压及直流放大作用，并经补偿电容的相位补偿后，由该输出晶体管对驱动输出，其中，该可适性位准位移电路包括： 一电流镜电路，包括闸极相连的第一ＮＭＯＳ电晶体及第二ＮＭＯＳ电晶体； 一ＮＭＯＳ晶体二极管，其闸极与汲极相连； 一ＮＭＯＳ开关晶体管，其源极连接至该电流镜电路的第二ＮＭＯＳ晶体管的汲极，其汲极连接该电流镜电路的第一ＮＭＯＳ晶体管的汲极与该ＮＭＯＳ晶体二极管的源极，其闸极则连接该ＮＭＯＳ晶体二极管的闸汲极...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：庄达昌，
申请(专利权)人：凌阳科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]