半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置。半导体装置包括至少一主芯片以及周边接口芯片。主芯片具有多数个焊垫。周边接口芯片包括焊垫连接接口以及输入输出连接接口。主芯片通过焊垫连接接口与周边接口芯片进行信号传输动作，且通过输入输出连接接口与外部电子装置进行信号传输动作。主芯片为多晶胞芯片。各晶胞与相邻的晶胞间具有至少一相隔空间。各信号传输线组用以进行至少部分相邻晶胞间的信号传输。其中多晶胞芯片是可使用的，通过部分相隔空间进行切割以切断部分信号传输线组，使多晶胞芯片被分割为多个子芯片，其中至少部分子芯片仍可使用。本发明专利技术提供的半导体装置，使主芯片的效能得以提升。

Semiconductor device

The present invention provides a semiconductor device. The semiconductor device includes at least one master chip and a peripheral interface chip. The main chip has many pads. The peripheral interface chip comprises a pad, a connecting interface and an input and output interface. The main chip carries on the signal transmission action through the pad pad connection interface and the peripheral interface chip, and carries on the signal transmission action through the input output connection interface and the external electronic device. The main chip is a multi cell chip. Each cell has at least one space apart from the adjacent cell. The signal transmission line for at least part of the signal transmission between adjacent cell. The cell chip can be used to cut, cut off part of signal transmission line through part separated by space, the multi cell chip is divided into multiple sub chip, wherein at least a portion of the sub chip can be used. The semiconductor device provided by the invention improves the efficiency of the main chip.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及一种半导体装置，尤其涉及一种整合周边接口芯片与主机片的半导体装置。
技术介绍
基于半导体制程快速的进步，在现今的半导体芯片的设计中，常需要利用高阶的制程来达到降低芯片尺寸的目标并藉以降低产品的成本。然而，在相同大小芯片面积上，利用高阶制程所至制造出的半导体芯片，其耐压、电流驱动能力以及静电放电防护能力低于低阶制程的芯片，因此，单纯利用高阶制程所制造出的芯片，其芯片面积会为了满足耐压、电流驱动能力以及静电放电防护能力的要求而大幅的增加，造成产品成本的上升
技术实现思路
本专利技术提供一种半导体装置，使主芯片的效能得以提升。本专利技术的半导体装置包括至少一主芯片以及周边接口芯片。主芯片具有多数个焊垫。周边接口芯片包括焊垫连接接口以及输入输出连接接口。焊垫连接接口与焊垫电性连接。输入输出连接接口耦接半导体装置外的外部电子装置。其中，主芯片通过焊垫连接接口与周边接口芯片进行信号传输动作，且通过输入输出连接接口与外部电子装置进行信号传输动作。上述的主芯片为多晶胞芯片。其中，多晶胞芯片包括半导体基底、多数个晶胞以及多数个信号传输线组。晶胞排列在半导体基底上，各晶胞与相邻的晶胞间具有至少一相隔空间。各信号传输线组配置在相邻晶胞间的相隔空间上，并用以进行至少部分相邻晶胞间的信号传输。其中多晶胞芯片是可使用的，且多晶胞芯片通过部分相隔空间进行切割以切断部分信号传输线组，致使多晶胞芯片被分割为多个子芯片，其中切割后的至少部分子芯片仍可使用。且主芯片的焊垫提供的静变放电防护能力小于输入输出连接接口提供的静变放电防护能力。在本专利技术的一实施例中，上述的主芯片还包括周边接口处理单元。周边接口处理单元耦接焊垫连接接口以及输入输出连接接口，并用以针对焊垫连接接口以及输入输出连接接口至少其中之一所要接收或要传送的信号进行处理。在本专利技术的一实施例中，上述的焊垫连接接口包括多数个连接焊垫，连接焊垫分别与主芯片上的焊垫相耦接。在本专利技术的一实施例中，上述的半导体装置还包括封装载体、多数条内部导线以及多数条外部引脚。封装载体用以承载主芯片以及周边接口芯片。内部导线使焊垫连接接口与焊垫电性连接。外部引脚耦接至输入输出连接接口。其中，外部引脚连接至外部电子装置。在本专利技术的一实施例中，上述的各外部引脚还耦接至焊球。在本专利技术的一实施例中，上述的半导体装置还包括封装盖体。封装盖体覆盖封装载体、主芯片、周边接口芯片、内部导线以及外部引脚的至少部分区域。在本专利技术的一实施例中，上述的各导电凸块的高度正相关于对应焊垫所提供的静电放电防护能力。基于上述，本专利技术提供的半导体装置，其主芯片通过周边接口芯片与外部电子装置进行信号传输动作，藉此，主芯片的制程选择以及设计考量可以不用受限于与外部电子装置连接的输出输入接口的设计要求。如此一来，主芯片的成本可以有效的被降低。并且，周边接口芯片的设计也可以独立被进行而得到物理特性上的强化，例如耐压、驱动能力以及静电放电防护能力等特性，都可以有效的被提升。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术一实施例的半导体装置的示意图；图2为本专利技术另一实施例的半导体装置200的示意图；图3A以及图3B分别为本专利技术实施例的半导体装置的封装结构剖面图；图4为本专利技术实施例的半导体装置的另一种封装结构剖面图；图5为本专利技术实施例的主晶片封装方式的示意图。附图标记说明：100、200、310、320：半导体装置；110、210、311、321、410、510：主芯片；120、220、312、420：周边接口芯片；PAD、OPAD1、OPAD2：焊垫；121、221：焊垫连接接口；122、222：输入输出连接接口；223：周边接口处理单元；201：外部电子装置；SUB：半导体基底；CE1～CE3：晶胞；OCI：信号传输线组；CAR：封装载体；ILB1～ILB3：内部导线；OLB1、OLB2：外部引脚；COV：封装盖体；ESD1、ESD2：静电放电防护电路；BP1～BP4：导电凸块；CN1～CN4：导电体。具体实施方式请参照图1，图1为本专利技术一实施例的半导体装置的示意图。半导体装置100包括主芯片110以及周边接口芯片120。主芯片110具有多数个焊垫PAD。周边接口芯片120包括焊垫连接接口121以及输入输出连接接口122。周边接口芯片120通过焊垫连接接口121与主芯片110上的焊垫PAD相耦接。主芯片110与周边接口芯片120间可通过上述的耦接路径来进行数据的传输动作。另外，周边接口芯片120并可通过输入输出连接接口122来与半导体装置100外的外部电子装置(未示出)耦接，并藉此与外部电子装置来进行信号传输的动作。具体来说明，本专利技术实施例中，主芯片110并不直接与外部电子装置进行连接以及信号传输的动作。实际上，主芯片110通过输入输出连接接口122来与外部电子装置来进行信号传输的动作。举例来说明，当主芯片110需要由外部电子装置接收一数据信号时，周边接口芯片120的输入输出连接接口122可先接收外部电子装置所提供的数据信号，接着，通过周边接口芯片120提供的桥接功能，使外部电子装置所提供的数据信号由焊垫连接接口121来传送至主芯片110的焊垫PAD上。如此，主芯片可顺利取得所需的数据信号。相对的，当主芯片110要将数据信号传送至外部电子装置时，主芯片110可通过其焊垫PAD将数据信号传送至焊垫连接接口121，再通过周边接口芯片120提供的桥接功能，使这个数据信号可以被提供至输入输出连接接口122，并通过输入输出连接接口122传送至外部电子装置。附带一提的，上述的主芯片110以及周边接口芯片120间的信号传输动作中，所进行传输的信号除可以是数据信号外，也可以是电压信号、电流信号或时钟信号等任意形式的电气信号。此外，主芯片110的焊垫PAD与周边接口芯片120上的焊垫连接接口121的连接方式没有一定的限制。其中，周边接口芯片120上可以具有多数个连接焊垫。而在进行焊垫PAD与周边接口芯片120的连接动作时，可以通过封装打线的方式来使焊垫PAD与焊垫连接接口121上的连接焊垫相连接，或者，主芯片110上的焊垫PAD也可以通过覆晶封装的方式，通过在焊垫PAD上形成金属凸块的方式来与多条内部连接导线相连接。而焊垫连接接口121上的连接焊垫也同样通过覆晶封装(通过金属凸块进行贴合)的方式来连接至上述的内部连接导线。进以使主芯片110与周边接口芯片120可相互连接。当然，上述的连接焊垫与焊垫PAD间的连接方式仅只是范例。基本上。本领域技术人员所熟知的焊垫间的连接技术都可以应用于本专利技术实施例中。以下请参照图2，图2为本专利技术另一实施例的半导体装置200的示意图。半导体装置200包括主芯片210以及周边接口芯片220。在本实施例中，主芯片210为多晶胞芯片。其中，多晶胞芯片包括半导体基底SUB、多数个晶胞CE1～CE3以及多个信号传输线组OCI。晶胞CE1～CE3排列在半导体基底SUB上，各晶胞CE1～CE3与相邻的晶胞间具有至少一相隔空间。并且，各信号传输线组OCI配置在至少部分的相邻晶胞间的相隔空间上，并用以进行相邻晶胞间的信号传输动作。其中，多晶胞芯片(主芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：至少一主芯片，具有多数个焊垫，其中所述主芯片为多晶胞芯片，其中，所述多晶胞芯片包括：半导体基底；多个晶胞，配置在所述半导体基底上，该些晶胞中的任二相邻晶胞间具有一相隔空间；以及多组信号传输线，该些信号传输线分别配置在至少部分该些相隔空间上，并分别用以进行至少部分相邻晶胞间的信号传输，其中所述多晶胞芯片是可使用的，且所述多晶胞芯片通过部分该些相隔空间进行切割以切断部分该些信号传输线，致使所述多晶胞芯片被分割为多个子芯片，其中切割后的部分该些子芯片仍可使用；以及周边接口芯片，包括：焊垫连接接口，与该些焊垫电性连接；以及输入输出连接接口，耦接所述半导体装置外的外部电子装置，其中，所述主芯片通过所述焊垫连接接口与所述周边接口芯片进行信号传输动作，且通过所述输入输出连接接口与所述外部电子装置进行信号传输动作，且所述主芯片的该些焊垫提供的静变放电防护能力小于所述输入输出连接接口提供的静变放电防护能力。

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：至少一主芯片，具有多数个焊垫，其中所述主芯片为多晶胞芯片，其中，所述多晶胞芯片包括：半导体基底；多个晶胞，配置在所述半导体基底上，该些晶胞中的任二相邻晶胞间具有一相隔空间；以及多组信号传输线，该些信号传输线分别配置在至少部分该些相隔空间上，并分别用以进行至少部分相邻晶胞间的信号传输，其中所述多晶胞芯片是可使用的，且所述多晶胞芯片通过部分该些相隔空间进行切割以切断部分该些信号传输线，致使所述多晶胞芯片被分割为多个子芯片，其中切割后的部分该些子芯片仍可使用；以及周边接口芯片，包括：焊垫连接接口，与该些焊垫电性连接；以及输入输出连接接口，耦接所述半导体装置外的外部电子装置，其中，所述主芯片通过所述焊垫连接接口与所述周边接口芯片进行信号传输动作，且通过所述输入输出连接接口与所述外部电子装置进行信号传输动作，且所述主芯片的该些焊垫提供的静变放电防护能力小于所述输入输出连接接口提供的静变放电防护能力。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述主芯片还包括：周边接口处理单元，耦接所述焊垫连接接口以及所述输入输出连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：施炳煌，廖栋才，李桓瑞，
申请(专利权)人：凌阳科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71