带可控跨导且用于低电源电压的跨导器制造技术

为了控制跨导器的跨导，跨导器的电压输入端（Ｖｉｎ２）通过电容器（Ｃ２１，Ｃ２２）分别与第一及第二晶体管（Ｑ２１，Ｑ２２）的基极连接。电容器（Ｃ２１，Ｃ２２）与各自基极的共同接点通过第一及第二电阻器（Ｒ２１，Ｒ２２）分别与跨导器的控制电压端（Ｖｒｅｇ２＋，Ｖｒｅｇ２－）连接。所述第一及第二晶体管（Ｑ２１，Ｑ２２）的发射极相互连接，该接点通过第三电阻器（Ｒ２３）与接地端连接。第一晶体管（Ｑ２１）的集电极与跨导器的电流输出端（Ｉｏｕｔ２）连接，第二晶体管（Ｑ２２）的集电极与跨导器的电源电压端（Ｖｃｃ２）连接。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种跨导器。
技术介绍
图一为一已知跨导器，包括电压输入端Vin1、电流输出端Iout1、电源电压端Vcc1和两个控制电压端Vreg1+及Vreg1-。在控制电压端Vreg1+及Vreg1-施加一个控制电压来控制跨导器的跨导。电压输入端Vin1与晶体管Q11的基极连接，其发射极通过电阻R11与接地端连接，其集电极与两个晶体管Q12及Q13的发射极的共同接点连接。晶体管Q12的基极与控制电压端Vreg1+连接，而晶体管Q13的基极则与控制电压端Vreg1-连接。晶体管Q12的集电极与电流输出端Iout1连接，而晶体管Q13的集电极则与电源电压端Vcc1连接。通过改变控制电压端Vreg1+及Vreg1-之间的电压，电流输出端Iout1的输出电流就会相应地改变。如附图说明图1所示的已知跨导器不能用于施加在电源电压端Vcc1及接地端之间的低电源电压，这是由于晶体管Q11、Q12及Q13堆栈在一起，需要相当大的电压范围。专利技术概述本专利技术的目的是提供一种能在低电源电压时实现能量控制的跨导器。根据本专利技术的跨导器，它只包括两个晶体管而且不用堆栈。从而使在低电源电压时操作成为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带可控跨导、用于低电源电压的跨导器，包括一个电压输入端（Ｖｉｎ２）、一个连接至第一晶体管（Ｑ２１）的集电极的电流输出端（Ｉｏｕｔ２）、一个连接至第二晶体管（Ｑ２２）的集电极的电源电压端（Ｖｃｃ２）和两个控制电压端（Ｖｒｅｇ２＋及Ｖｒｅｇ２－），它们分别与晶体管（Ｑ２１，Ｑ２２）的基极连接，在它们之间施加一个控制电压来控制跨导器的跨导，其特征在于： 电压输入端（Ｖｉｎ２）通过第一及第二电容器（Ｃ２１，Ｃ２２）分别与晶体管（Ｑ２１，Ｑ２２）的基极连接； 控制电压端（Ｖｒｅｇ２＋，Ｖｒｅｇ２－）通过第一及第二电阻器（Ｒ２１，Ｒ２２）分别与晶体管（Ｑ２１，Ｑ２２）的基极连接；以及 ...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：P斯瓦兰格，
申请(专利权)人：艾利森电话股份有限公司，
类型：发明
国别省市：SE[瑞典]