半导体激光元件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体激光元件，该元件具有小的脊部外侧电容和高的响应速度，并能够实现具有所需脉冲波形的脉冲振荡。在ＧａＡｓ衬底（１０１）上，设置ｎ－型缓冲层（１０２）、ｎ－型第一包层（１０３）、ＭＱＷ有源层（１０４）、ｐ－型第二包层（１０５）、其能带隙小于第二包层（１０５）的能带隙的ｐ－型蚀刻终止层（１０６）、构成脊形部分的ｐ－型第三包层（１０７）、以及ｐ－型保护层（１０８）。在脊部宽度方向上在两侧层叠ｐ－型间隔层（１０９）、ｎ－型光电限制层（１１０）、ｎ－型电流限制层（１１１）和ｐ－型平坦层（１１２）。在这些层上层叠ｐ－型接触层（１１３）。当施以偏压时，耗尽层扩展到间隔层（１０９）中。因此，降低了间隔层（１０９）和光电限制层（１１０）之间的电容，并加快了半导体激光元件脉冲振荡时的响应速度。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体激光元件。
技术介绍
传统的半导体激光元件如图10所示(参照日本专利特许公报第平9-199790号)。该半导体激光元件是一个有效折射率波导型的半导体激光元件。在n-型GaAs衬底501上，设有一个n-型GaAs缓冲层502，一个n-型AlGaAs第一包层503，一个量子阱有源层504，一个p-型AlGaAs第二包层505，一个p-型GaAs蚀刻终止层506，一个p-型AlGaAs第三包层507和一个p-型GaAs帽盖层508。所述p-型AlGaAs第三包层507和所述p-型GaAs帽盖层508形成脊形，从而构成脊部513。一个n-型AlGaAs光电限制层(current light confining layer)509，一个n-型GaAs电流限制层(currentconfining layer)510和一个p-型GaAs平坦层511层叠在脊部513宽度方向的两侧，并层叠在蚀刻终止层506上。在帽盖层508，光电限制层509和电流限制层510的端面、及平坦层511上形成一个p-型GaAs接触层512。p-型电极514设置在p-型接触层上，一个n-型电极51本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光元件，其中在半导体衬底（１０１，２０１，３０１，４０１）上至少设置一第一导电类型的第一包层（１０３，３０３，４０３）、一个有源层（１０４，３０４，４０４）、一个第二导电类型的第二包层（１０５，２０５，３０５，４０５）、一个其能带隙小于第二包层（１０５，２０５，３０５，４０５）的第二导电类型的蚀刻终止层（１０６，３０６，４０６）、一个脊形第二导电类型的第三包层（１０７，３０７，４１１）以及一个第一导电类型的光电限制层（１１０，２１０，３１０，４０８），该光电限制层设置在第三包层（１０７，３０７，４１１）的宽度方向上的两侧并具有比第二包层（１０５，２０５，３０５，４０５）的折射率小的...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：松本晃广，
申请(专利权)人：夏普公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]