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本发明提供一种半导体激光元件，该元件具有小的脊部外侧电容和高的响应速度，并能够实现具有所需脉冲波形的脉冲振荡。在ＧａＡｓ衬底（１０１）上，设置ｎ－型缓冲层（１０２）、ｎ－型第一包层（１０３）、ＭＱＷ有源层（１０４）、ｐ－型第二包层（１０５）...
该专利属于夏普公司所有，仅供学习研究参考，未经过夏普公司授权不得商用。

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