改进型软研磨垫制造技术

本实用新型专利技术提供了一种改进型软研磨垫，涉及化学机械研磨装置。现有的软研磨垫在粘贴到研磨平台上时，会在粘贴层出现大量气泡，较大的气泡会被研磨头刮破，从而导致芯片划伤。本实用新型专利技术的改进型软研磨垫，其表面具有大小相等、均匀分布的凸起的方格压纹，相邻方格压纹之间存在一定的间距，其中，所述的软研磨垫上还开设有数个孔洞，且每两个孔洞之间间隔１～２００个方格压纹。采用本实用新型专利技术的改进型软研磨垫，可防止更换研磨垫时在粘贴层出现大量的气泡，从而避免芯片划伤、芯片破裂等问题的发生，此外，通过在软研磨垫中心位置开设窗口，还可实现某些制程终点侦测技术的应用。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及化学机械研磨装置，尤其涉及一种软研磨垫。技术背景化学机械研磨(Chemical Mechanical Polish, CMP)是半导体器件制造过程中 的一道重要制程，由专用的化学机械研磨机台完成，主要用于芯片表面的平坦 化处理和芯片清洗。于化学机械研磨制程中，需要使用软研磨垫。采用软研磨垫配合水研磨， 可以去除芯片表面的研磨液结晶，配合研磨液应用时可以去除一定程度的硅、 氧化硅和金属鴒，并且软研磨垫在鴒制程应用中配合研磨液使用具有很好的选 择比(对氧化硅的研磨速率比对金属鵠的研磨速率快)，从而优化了芯片内部电 路的连线。软研磨垫在应用时需要被粘贴在机台的研磨平台上，然后研磨头压住芯片 在其上面进行研磨。软研磨垫表面具有大小相同、均匀分布的凸起的方格压紋， 在研磨一定数量的芯片后，其上的压紋会被磨薄甚至磨没，因此需要定期更换 新的软研磨垫。在更换过程中，由于软研磨垫材质软，粘贴面积大，容易在粘 贴层出现大量的气泡， 一些较大的气泡会在研磨过程中被研磨头磨破，磨破的 研磨垫会增加芯片表面的颗粒，甚至会划伤芯片，严重的还会导致芯片破裂。因此，需要一种可防止粘贴层出现大量气泡的软研磨垫结构。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种改进型的软研磨垫，以防止更换研磨垫时 在粘贴层出现大量的气泡，从而避免芯片划伤、芯片破裂等问题的发生。为了达到上述的目的，本技术提供一种改进型软研磨垫，其表面具有 大小相等、均匀分布的凸起的方格压紋，相邻方格压紋之间存在一定的间距， 其中，所述的软研磨垫上还开设有数个孔洞，且每两个孔洞之间间隔1-200个 方格压紋。在上述的改进型软研磨垫中，较佳地，每两个孔洞之间间隔10~30个方格 压紋。在上述的改进型软研磨垫中，每个孔洞均开设在某一方格压紋内，且孔洞 的大小小于该方格压紋的大小，但不小于lmm2。在上述的改进型软研磨垫中，所述的软研磨垫上还开设有一窗口，所述的 窗口是矩形的，其边长介于1到100个方格压紋的宽度。本技术的改进型软研磨垫，根据需要在软研磨垫上间隔一定距离，切 割出一定数量的孔洞，避免更换软研磨垫时，在粘贴层产生气泡，保证软研磨 垫粘贴在研磨平台上后拥有很好的平整度，从而提升芯片的研磨质量，避免微 擦痕。此外，通过在软研磨垫中心位置开设窗口，还可实现某些制程终点侦测 技术的应用，便于镭射光线通过窗口照射到研磨中芯片的表面。附图说明本技术的改进型软研磨垫由以下的实施例及附图给出。 图1为本技术一具体实施例的软研磨垫的局部示意图； 图2为软研磨垫上孔洞的形状及大小示意图； 图3为软研磨垫上开设窗口的示意图。具体实施方式以下将对本技术的改进型软研磨垫作进一步的详细描述。 本技术的改进型软研磨垫，其表面具有大小相等、均匀分布的凸起的 方格压紋，相邻压紋之间存在一定的间距，为了防止在粘贴层产生气泡，在软 研磨垫上间隔一定距离开设一个孔洞，以便通气。软研磨垫上孔洞的密度可以 根据需要来确定，但是孔洞过于稀疏无法达到去除气泡的效果，过于致密将影 响芯片研磨工艺，因此，每两个孔洞相距10 30个方格压紋为最佳，当然，每 两个孔洞之间也可相J 巨1 200个方格压紋。图1为本技术一具体实施例的库欠研磨垫的局部示意图。如图l所示，软研磨垫1表面均匀排列着凸起的方格压紋2，按照现有的标准，方格压紋2的 规格是3.8P3.81mm2,于本实施例中，每间隔4个方格压紋2开设一个孔洞3， 每个孔洞3均位于某一方格压紋2内，且孔洞3的大小小于方格压紋2的大小。 图l所示的孔洞3是圆形的，于本技术的其他实施例中，也可采用其他规 则或者不规则形状的孔洞3，只要能够达到透气的效果即可。图2给出了一些不同形状的孔洞3结构，包括方形、圆形、三角形、椭圆 形等，所有的孔洞3a-3d均开设在方格压紋2内。这些孔洞3a-3d应当大小适中， 孔洞太小不方便通气，孔洞太大会将方格压紋2的边缘割裂，导致芯片微划伤。 针对不同的孔洞形状，孔洞大小应当分别满足方形孔洞3a的边长大于等于 lmm,小于方格压紋2的边长(3.81mm);圆形孔洞3b的直径大于等于lmm, 小于方格压紋2的边长(3.81mm);三角形孔洞3c的底边和高均落在l~3.81mm 的范围；椭圆形孔洞3d的两条轴长也应满足1 3.81mm的范围。除了在软研磨垫1上开设孔洞3外，为了配合某些制程终点侦测技术的应 用，还可将软研磨垫1上相邻的多个压紋2—起切掉，形成一个适当大小的窗 口 4，以便使镭射光线全部透过窗口 4照射到研磨中芯片的表面上。窗口 4一般 开设在软研磨垫1的中心附近，通常为矩形(如图3所示)，窗口4的大小可根 据研磨平台上出射镭射光线的透明窗口的大小设定，其边长的范围可以是1 100 个方格压紋2的宽度。权利要求1、一种改进型软研磨垫，其表面具有大小相等、均匀分布的凸起的方格压纹，相邻方格压纹之间存在一定的间距，其特征在于所述的软研磨垫上还开设有数个孔洞，且每两个孔洞之间间隔1～200个方格压纹。2、 如权利要求1所述的改进型软研磨垫，其特征在于每两个孔洞之间间 隔10 30个方一各压紋。3、 如权利要求1所述的改进型软研磨垫，其特征在于每个孔洞均开设在 某一方格压紋内，且孔洞的大小小于该方格压紋的大小。4、 如权利要求3所述的改进型软研磨垫，其特征在于每个孔洞的大小不 小于lmm2。5、 如权利要求1所述的改进型软研磨垫，其特征在于所述的软研磨垫上 还开设有一窗口。6、 如权利要求5所述的改进型软研磨垫，其特征在于所述的窗口是矩形的。7、 如权利要求6所述的改进型软研磨垫，其特征在于所述窗口的边长介 于1到100个方格压紋的宽度。专利摘要本技术提供了一种改进型软研磨垫，涉及化学机械研磨装置。现有的软研磨垫在粘贴到研磨平台上时，会在粘贴层出现大量气泡，较大的气泡会被研磨头刮破，从而导致芯片划伤。本技术的改进型软研磨垫，其表面具有大小相等、均匀分布的凸起的方格压纹，相邻方格压纹之间存在一定的间距，其中，所述的软研磨垫上还开设有数个孔洞，且每两个孔洞之间间隔1～200个方格压纹。采用本技术的改进型软研磨垫，可防止更换研磨垫时在粘贴层出现大量的气泡，从而避免芯片划伤、芯片破裂等问题的发生，此外，通过在软研磨垫中心位置开设窗口，还可实现某些制程终点侦测技术的应用。文档编号H01L21/02GK201049442SQ200720067978公开日2008年4月23日 申请日期2007年3月20日 优先权日2007年3月20日专利技术者党国锋, 张智伟, 王怀锋, 苏东风 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改进型软研磨垫，其表面具有大小相等、均匀分布的凸起的方格压纹，相邻方格压纹之间存在一定的间距，其特征在于：所述的软研磨垫上还开设有数个孔洞，且每两个孔洞之间间隔１～２００个方格压纹。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王怀锋，苏东风，党国锋，张智伟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]