两面光照的HIT太阳电池制造技术

一种新型两面光照的ＨＩＴ太阳电池结构，在Ｎ型单晶硅片的两面分别沉积一层本征非晶硅薄膜（ｉ　ａ－Ｓｉ），再在正面的本征非晶硅薄膜上沉积Ｐ型氢化非晶碳化硅薄膜（ｐ　ａ－ＳｉＣ：Ｈ），在背面的本征非晶硅薄膜上沉积Ｎ型氢化非晶碳化硅薄膜（ｎ　ａ－ＳｉＣ：Ｈ）或者Ｎ型微晶硅薄膜（ｎ　ｕｃ－Ｓｉ），然后在两面分别镀上ＩＴＯ透明导电膜，丝网印刷正面、背面金属电极，烧结金属即电极金属化。优点是有非常高的电池转化效率，电池的稳定性好。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及 一 种HIT太阳电池结构。
技术介绍
现在市场上，硅片价格居高不下，硅电池的成本居高不下， 要降低硅电池的成本， 一个方向是转向薄膜电池生产，另一 个方向是致力于提高硅电池的转化效率，本技术的目的 在于提高硅电池的转化效率。
技术实现思路
为解决前述提高硅电池的转化效率的技术问题，本实用新 型提供一种两面光照的HIT太阳电池；该太阳电池的结构是， 在N型单晶硅片的正面本征非晶硅薄膜i a -Si上，沉积P型 氢化非晶碳化硅薄膜pa -SiC:H;在N型单晶硅片的背面本 征非晶硅薄膜i a -Si上，A，沉积N型氢化非晶碳化硅薄膜n a -SiC:H，形成N/N+高 低结；或者B，沉积N型微晶硅薄膜n uc-Si，形成N/N+高低结。该太阳电池的正面和背面，均采用氧化锡铟透明导电薄膜 ITO和栅状Al作为电极。本技术的优点是，电池正面用P型氢化非晶碳化硅(p a -SiC:H)取代.P型氢化非晶硅(p a -Si:H)。氢化非晶碳化 硅(a -SiC:H)与氢化非晶硅(a -Si:H)相比，能带加宽， 更有利于吸收太阳光，提高作为窗口层的作用。电池背面高 低结用N型氢化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种两面光照的ＨＩＴ太阳电池，其特征是，在Ｎ型单晶硅片的正面本征非晶硅薄膜ｉａ－Ｓｉ上，沉积Ｐ型氢化非晶碳化硅薄膜ｐａ－ＳｉＣ：Ｈ；在Ｎ型单晶硅片的背面本征非晶硅薄膜ｉａ－Ｓｉ上，　　　　Ａ，沉积Ｎ型氢化非晶碳化硅薄膜ｎａ－ＳｉＣ：Ｈ，形成Ｎ／Ｎ＋高低结；或者　　　　Ｂ，沉积Ｎ型微晶硅薄膜ｎｕｃ－Ｓｉ，形成Ｎ／Ｎ＋高低结。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李华维，胡宏勋，
申请(专利权)人：宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]