一种制备太阳电池背铝硅合金结的工艺制造技术

本发明专利技术提供一种制备太阳电池背铝硅合金结的工艺，该工艺是：在Ｎ型单晶硅片的背面全覆盖丝网印刷铝浆，进行高温一次烧结，形成背铝硅合金结；一次烧结形成的铝硅合金结，是用强酸或王水腐蚀去除铝层后形成的，其合金层具备均匀性。背铝硅合金结的深浅，由硅片厚度、烧结温度和烧结时间决定，当硅片厚度在２００～２３０μｍ，背面全覆盖印刷铝浆厚度则在２０～２５μｍ，烧结温度在７００～９２０℃；当硅片厚度低于２００μｍ时，烧结温度会降低一点，温度控制在７００～９００℃。本发明专利技术的优点是，只须进行一次高温烧结，即可形成背铝硅合金结，合金结的合金层，均匀性好，工艺简单，成本低，适宜于规模化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及N型单晶硅太阳电池背铝硅合金结的制备工艺。
技术介绍
现阶段，N型硅太阳电池主要是通过扩硼工艺来制备背面P+/N 发射结，工艺复杂，成本高，不易于规模化生。
技术实现思路
为了优化工艺，本专利技术提供一种制备太阳电池背铝硅合金结的工艺，该工艺是在N型单晶硅片的背面全覆盖丝网印刷铝桨，进行 高温一次烧结，形成背铝硅合金结； 一次烧结形成的铝硅合金结， 是用强酸或王水腐蚀去除铝层后形成的，其合金层具备均匀性。 背铝硅合金结的深浅，由硅片厚度、烧结温度和烧结时间决定， 当硅片厚度在200 230nm，背面全覆盖印刷铝浆厚度则在20 25um， 烧结温度在700 920°C;当硅片厚度低于200um时，烧结温度会降 低一点，温度控制在700 90(TC。本专利技术的优点是，只须进行一次高温烧结，即可形成背铝硅合金结， 合金结的合金层，均匀性好，工艺简单，成本低，适宜于规模化生产。附图说明附图是本专利技术的层结构图。 图中标号说明1- 是Ag金属栅线正电极；2- 是SiNx减反射层，厚度约为80nm;3- 是正面N磷扩散层，厚度为0.3 0.5um;4- 是N型单晶硅片，电阻率0.本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备太阳电池背铝硅合金结的工艺，其特征是：在Ｎ型单晶硅片的背面全覆盖丝网印刷铝浆，进行高温一次烧结，形成背铝硅合金结。

【技术特征摘要】
1、一种制备太阳电池背铝硅合金结的工艺，其特征是在N型单晶硅片的背面全覆盖丝网印刷铝浆，进行高温一次烧结，形成背铝硅合金结。2、 按权利要求l所述的一种制备太阳电池背铝硅合金结的工艺，其特征是 一次烧结形成的铝硅合金结，是用强酸或王水腐蚀去除铝层 后形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡宏勋，陈斌，李华维，黄岳文，徐晓群，孙励斌，唐则祁，
申请(专利权)人：宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：97[中国|宁波]