改善太阳能电池扩散的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善太阳能电池扩散的方法，其步骤是：Ａ．采用硅原料、导电类型Ｐ型；Ｂ．扩散：硅片在高温中与氧气，三氯氧磷发生化学反应，生成磷、五氯化磷、五氧化二磷、氯气；Ｃ．通氧再分布：再通入氧气与未消耗完的ＰＣｌ↓［５］继续反应生成磷：Ｄ．与再分布相结合的磷原子Ｄｒｉｖｅ　　ｉｎ过程；Ｅ．经过上述扩散，再分布和Ｄｒｉｖｅ　　ｉｎ过程之后表面方块电阻为２８～３８Ω／□。本发明专利技术该可提升高电阻率单晶硅太阳能电池的转换效率高，扩散后硅片表面扩散均匀，方法易行，操作简便，成本低廉。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于单晶硅太阳能电池制造领域，更具体涉及一种改善太阳能电池扩 散的方法，该方法广泛应用于单晶硅太阳能电池(尤其是基体电阻率偏高的硅片) 的制造过程。
技术介绍
目前单晶硅太阳电池的主要制造工艺已经标准化，其经历的主要步骤为-1. 化学清洗及表面结构化处理(制绒)通过化学反应使原本光亮的硅片表面 形成金字塔状结构以增强光的吸收，在效果较好的情况下，这一步骤可以将 硅片表面反射率由35%降低至10%左右；2. 扩散这是太阳能电池制造过程的核心步骤之一，P型硅片在扩散后表面变 成N型，从而形成PN结，硅片由此才具有光伏效应。而扩散的浓度，深度 以及均匀性直接影响电池的电性能，扩散的情况宏观上用方块电阻来衡量， 更细致的了解需要借助专用设备，测量扩散浓度、深度等；3. 周边刻蚀该步骤主要去掉扩散时在硅片边缘形成的将PN结两端短路的导电层(PN结两端分别时电池的正负极)，目前大部分厂家都使用等离子刻蚀， 无论设备还是工艺都相对成熟，刻蚀效果也很好；4. 沉积减反射膜目前主要有两类减反射膜，氮化硅(Si3N4)和氧化钛(Ti02)，氮化硅本身性质稳定，对硅片有很好的钝化效果，对后继工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善太阳能电池扩散的方法，其步骤是：Ａ、采用硅原料，导电类型Ｐ型，厚度２８０ｕｍ～３１０ｕｍ，电阻率０．５～１０Ωｃｍ；Ｂ、扩散：硅片在８００－９００℃气氛中与氧气，三氯氧磷发生化学反应，生成磷、五氯化磷、五氧化二磷、氯 气，方程式如下：Ｓｉ＋Ｏ２＝ＳｉＯ２；５ＰＯＣｌ３＝３ＰＣｌ５＋Ｐ２Ｏ５；４ＰＣｌ５＋５Ｏ２＝２Ｐ２Ｏ５＋１０Ｃｌ２↑；２Ｐ２Ｏ５＋５Ｓｉ＝５ＳｉＯ２＋４Ｐ；扩散过程气体流量：大氮２０～３５Ｌ ／ｍｉｎ；小氮１．６～２．５Ｌ／ｍｉｎ；氧气２．０～３．...

【技术特征摘要】
1、一种改善太阳能电池扩散的方法，其步骤是A、采用硅原料，导电类型P型，厚度280um～310um，电阻率0.5～10Ωcm；B、扩散硅片在800-900℃气氛中与氧气，三氯氧磷发生化学反应，生成磷、五氯化磷、五氧化二磷、氯气，方程式如下Si+O2＝SiO2；5POCl3＝3PCl5+P2O5；4PCl5+5O2＝2P2O5+10Cl2↑；2P2O5+5Si＝5SiO2+4P；扩散过程气体流量大氮20～35L/min；小氮1.6～2.5L/min；氧气2.0～3.5L/min；持续时间20～40min；C、通氧再分布，扩散B步骤后，再通入氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙永明，丁孔奇，李树贵，周炜，熊光宇，徐俊，
申请(专利权)人：珈伟太阳能武汉有限公司，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]