【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅太阳能电池，尤其涉及一种提高晶硅太阳能电池光电转换效率的选 择性发射极制作方法。
技术介绍
目前，典型的晶硅太阳能电池选择性发射极制作方法为多次扩散并在特定区域制 作掩膜。该过程虽然效果较好但是存在以下不足1、工艺步骤繁多，并且对设备有特殊要求，无法在现有的生产线上直接实现。2、高温处理过程需要很长时间，增加能耗同时对生产效率产生不利影响。3、所需掩膜材料需要特殊化学处理，增加成本。
技术实现思路
本专利技术为解决现有技术存在的不足，提供一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制 作方法。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下一种晶硅太阳能电池选择性发射极的 制作方法，包括在晶硅太阳能电池受光面上印刷含有磷元素的电极浆料后进行烧结来形成 栅线电极。本专利技术的有益效果是在晶硅太阳能电池受光面上印刷含有一定磷元素的电极浆 料后进行烧结，在发射极电极区形成高低结，降低了电极与发射极之间的接触电阻，提升转 换效率，并取消了现有技术中的多次扩散并在特定区域制作掩膜的步骤，简化了工序，降低 了成本。在上述技术方案的基础上，本专利技术还可以做如下改进。进一步，所述电极...
【技术保护点】
一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制作方法，包括在晶硅太阳能电池受光面上印刷含有磷元素的电极浆料后进行烧结来形成栅线电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：丁孔奇，
申请(专利权)人：珈伟太阳能武汉有限公司，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]
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