【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅太阳电池，尤其涉及一种提高晶硅太阳电池光电转 换效率的电极结构。目前，典型的晶硅太阳电池受光面栅线由主栅线和分栅线组成， 用丝网印刷技术将主栅线和细栅线印刷在电池表面，其中主栅线的作 用是汇集各分栅线的电流将电池基片产生的电力输出。该栅线结构存 在以下不足1、 由于分栅线排列较密，导致主、分栅线遮挡晶硅太阳电池受 光面比例较大，减少了晶硅太阳电池的受光面积，影响了整个晶硅太 阳电池的光电转换效率。2、 由于印刷技术的限制，现有技术的金属栅线电阻较高，导致 晶硅太阳电池的光电转换效率降低。本专利技术的目的是为了解决上述
技术介绍
存在的不足，提供一种提 高晶硅太阳电池光电转换效率的电极结构。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案 一种提高晶硅太阳 电池光电转换效率的电极结构，其特征是在晶硅太阳电池基片受光面 上设置平行布置的栅线，每条栅线与硅太阳电池基片受光面之间设置 至少两个炸点，所述栅线为导电栅线。
技术介绍
技术实现思路
在上述方案中，所述栅线可以采用直径为0.1—0.17mm的金属丝线。在上述方案中，所述栅线可以采用电阻率小于1.7X 1CT...
【技术保护点】
一种提高晶硅太阳电池光电转换效率的电极结构，其特征是在晶硅太阳电池受光面上设置平行布置的栅线，每条栅线与晶硅太阳电池基片受光面之间设置至少两个焊点，所述栅线为导电栅线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：丁孔贤，李化铮，丁孔奇，
申请(专利权)人：珈伟太阳能武汉有限公司，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。