一种提高晶硅太阳电池光电转换效率的电极结构制造技术

技术编号:3826254 阅读:228 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种提高晶硅太阳电池光电转换效率的电极结构,其特征是在晶硅太阳电池基片受光面上设置平行布置的栅线,每条栅线与硅太阳电池基片受光面之间设置至少两个焊点,所述栅线为导电栅线。本发明专利技术取消了背景技术中的分栅线,利用金属栅线与硅太阳电池基片之间的焊点将晶硅太阳电池受光面的光电流收集起来,利用金属栅线将主栅线上焊点收集的电流引出。由于采用上述结构,本发明专利技术既可以减少硅太阳电池的受光面栅线的遮光面积,同时又能降低硅太阳电池的串联电阻,从而提高硅太阳电池的转换效率,方便多块单体电池的互联。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅太阳电池,尤其涉及一种提高晶硅太阳电池光电转 换效率的电极结构。目前,典型的晶硅太阳电池受光面栅线由主栅线和分栅线组成, 用丝网印刷技术将主栅线和细栅线印刷在电池表面,其中主栅线的作 用是汇集各分栅线的电流将电池基片产生的电力输出。该栅线结构存 在以下不足1、 由于分栅线排列较密,导致主、分栅线遮挡晶硅太阳电池受 光面比例较大,减少了晶硅太阳电池的受光面积,影响了整个晶硅太 阳电池的光电转换效率。2、 由于印刷技术的限制,现有技术的金属栅线电阻较高,导致 晶硅太阳电池的光电转换效率降低。本专利技术的目的是为了解决上述
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存在的不足,提供一种提 高晶硅太阳电池光电转换效率的电极结构。为实现上述目的,本专利技术采用如下技术方案 一种提高晶硅太阳 电池光电转换效率的电极结构,其特征是在晶硅太阳电池基片受光面 上设置平行布置的栅线,每条栅线与硅太阳电池基片受光面之间设置 至少两个炸点,所述栅线为导电栅线。
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技术实现思路
在上述方案中,所述栅线可以采用直径为0.1—0.17mm的金属丝线。在上述方案中,所述栅线可以采用电阻率小于1.7X 1CT7ohm m的材料制备。在上述方案中,所述焊点的面积最好为l一6mm2。 在上述方案中,所述每条栅线中相邻两焊点之间的间距优选为2 —6mm。在上述方案中,所述相邻两条栅线之间的间距优选为2—6mm。 在上述太阳电池基片侧面设置可以与属栅线引出端焊接在一起 的汇流带,汇流带为导电金属带,于与其它太阳电池连接。本专利技术取消了
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中的分栅线,增加了主栅线的数量和排列密度,利用主栅线与晶硅太阳电池基片之间的焊点将硅太阳电池受光 面的光电流收集起来,利用主栅线将主栅线上的焊点收集的电流引 出。由于釆用上述结构,本专利技术即可以减少晶硅太阳电池的受光面栅 线的遮光面积,同时又能降低晶硅太阳电池的串联电阻,从而提高晶 硅太阳电池的转换效率,方便多块单体电池件的互联。附图说明图1是本技术的结构示意图。具体实施例方式参见图1,本实施例以125mmX 125mm准方电池为例,在晶硅 太阳电池基片受光面...匕设置间距为5mm平行布置的金属栅线电极2, 每条金属栅线电极2与硅太阳电池基片受光面之间设置至少两个焊点1,相邻两焊点1之间的间距为5mm,金属栅线2使用的是镀银铜 线,其电阻率为1.7X10—8Ohm*m。在晶硅太阳电池基片侧面设置有 与金属栅线电极2引出端焊接在一起的汇流带3,汇流带3为导电金 属带,当另一块单体太阳电池与其相连时,只需将另一块单体太阳电 池的背电极与之焊接即可。本实施例总焊点数为585个,密度4个/cm2。悍点及铜线共形成 的遮挡面积占电池面积的5.3%左右。用博硕光电测试仪测试本实施 例电池的串联电阻为0.010 0.012ohm,明显低于普通电极电池串联电 阻(0.013 0.016ohm)。综上所述,本专利技术以若干焊点以及金属丝代替现有技术的分栅 线,通过减少栅线遮挡面积以及栅线串联电阻,达到提高晶硅太阳电 池光电转换效率的目的。权利要求1、一种提高晶硅太阳电池光电转换效率的电极结构,其特征是在晶硅太阳电池受光面上设置平行布置的栅线,每条栅线与晶硅太阳电池基片受光面之间设置至少两个焊点,所述栅线为导电栅线。2、 根据权利要求1所述的一种提高晶硅太阳电池光电转换效率 的电极结构,其特征是所述栅线采用直径为0.1—0.17mm的金属丝线。3、 根据权利要求1所述的一种提高晶硅太阳电池光电转换效率 的电极结构,其特征是所述栅线采用电阻率小于1.7X10—7ohm 的材料制备。4、 根据权利要求1所述的一种提高晶硅太阳电池光电转换效率 的电极结构,其特征是所述焊点的面积为l一6mm2。5、 根据权利要求1所述的-一种提高晶硅太阳电池光电转换效率 的电极结构,其特征是所述每条栅线中相邻两焊点之间的间距为2— 6mm 。6、 根据权利要求1至5中任一权利要求所述的一种提高晶硅太 阳电池光电转换效率的电极结构,其特征是所述相邻两条栅线之间的 间距为2—6mm。7、 根据权利要求1至5中任一权利要求所述的一种提高晶硅太 阳电池光电转换效率的电极结构,其特征是在晶硅太阳电池基片侧面 设置有与金属栅线弓I出端焊接在一起的汇流带,汇流带为导电金属-m -市。全文摘要一种提高晶硅太阳电池光电转换效率的电极结构,其特征是在晶硅太阳电池基片受光面上设置平行布置的栅线,每条栅线与硅太阳电池基片受光面之间设置至少两个焊点,所述栅线为导电栅线。本专利技术取消了
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中的分栅线,利用金属栅线与硅太阳电池基片之间的焊点将晶硅太阳电池受光面的光电流收集起来,利用金属栅线将主栅线上焊点收集的电流引出。由于采用上述结构,本专利技术既可以减少硅太阳电池的受光面栅线的遮光面积,同时又能降低硅太阳电池的串联电阻,从而提高硅太阳电池的转换效率,方便多块单体电池的互联。文档编号H01L31/0224GK101483199SQ20091006083公开日2009年7月15日 申请日期2009年2月23日 优先权日2009年2月23日专利技术者丁孔奇, 丁孔贤, 李化铮 申请人:珈伟太阳能(武汉)有限公司 本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种提高晶硅太阳电池光电转换效率的电极结构,其特征是在晶硅太阳电池受光面上设置平行布置的栅线,每条栅线与晶硅太阳电池基片受光面之间设置至少两个焊点,所述栅线为导电栅线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:丁孔贤李化铮丁孔奇
申请(专利权)人:珈伟太阳能武汉有限公司
类型:发明
国别省市:83[中国|武汉]

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