珈伟太阳能武汉有限公司专利技术

珈伟太阳能武汉有限公司共有17项专利

  • 本实用新型公开了一种太阳能背板裁剪台包括工作台、底板、滑轨、滑块、裁剪刀、刻度尺、一对安装板以及一对快速夹,底板固定在工作台上且底板上开设有沿工作台横宽方向延伸的裁剪槽,一对安装板沿竖直方向可移动地安装在底板的两端,滑轨与裁剪槽平行且滑...
  • 本实用新型公开了一种太阳能电池串周转托盘包括相互叠加的多片固定板,每片固定板包括基板,基板上表面的下端沿水平方向设有定位槽,基板下表面的下端设有与定位槽相对的凸肋,基板下表面的上端设有沿水平方向延伸的凸台,其中一块固定板的凸肋卡合在另一...
  • 本发明涉及布线硅基太阳电池结构,其特征是,位于硅太阳电池基片受光面上的栅线表面覆盖有焊接层,该焊接层经过烧结使栅线与硅太阳电池基片表面形成欧姆接触。由于采用上述结构,本发明可以降低硅基太阳电池加工复杂性及加工成本,通过减少遮光面积,降低...
  • 本发明涉及一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制作方法,包括在晶硅太阳能电池受光面上印刷含有一定磷元素的电极浆料后进行烧结来形成栅线电极,由于在发射极电极区形成高低结,降低了电极与发射极之间的接触电阻,提升转换效率,并取消了现有技术中的多次...
  • 本实用新型公开了一种单面叉指式太阳电池切片的贴片板,该贴片板包括绝缘基板、金属导线、阻焊涂层,在绝缘基板表面覆有薄膜状金属导线,在覆有薄膜状金属导线的绝缘基板表面,除焊点外,均覆有阻焊涂层,金属导线与单面叉指式太阳电池切片之间以及单面叉...
  • 一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法,该方法工艺流程为:1)N型硅片化学处理,正面制绒;2)在N型硅片背面镀一层氮化硅隔离膜;3)在N型硅片正面进行磷扩散形成N+层;4)对N型硅片周边刻蚀,去除边缘导电层;5)去除氮化硅隔离膜;6)...
  • 一种背面铝扩散N型太阳能电池及制作背电极方法,该电池从正面至背面结构依次为:银金属栅线正电极(1);-氮化硅减反射膜(2);位于硅片正面的磷扩散层(3);N型单晶硅片(4);位于硅片背面的银铝背电极(6);位于硅片背面的背铝P型扩散层(...
  • 一种提高硅太阳电池效率的发射极结构,包括已形成单个或多个PN结的硅太阳电池基片,其特征是在硅太阳电池基片受光面上的栅线与硅太阳电池基片之间的焊点处设置透明导电膜,该透明导电膜沉积在硅太阳电池基片受光面表面。本发明利用透明导电膜和焊点收集...
  • 一种提高晶硅太阳电池光电转换效率的电极结构,其特征是在晶硅太阳电池基片受光面上设置平行布置的栅线,每条栅线与硅太阳电池基片受光面之间设置至少两个焊点,所述栅线为导电栅线。本发明取消了背景技术中的分栅线,利用金属栅线与硅太阳电池基片之间的...
  • 本实用新型一种太阳能电池测试装置,它包括模拟太阳能光源、太阳能电池组件测试仪,模拟太阳能光源由电子镇流器、三基色日光灯灯管、灯箱、玻璃组成,在灯箱上安装镶有玻璃的桌面,在灯箱内壁铆接一块不锈钢板;太阳能电池组件测试仪由电子负载、电流采样...
  • 本实用新型公开了一种太阳能电池组件边框,它包括铝型材长边框、铝型材短边框、铝型材连接件,铝型材短边框和铝型材长边框两端设有铝型材连接件,铝型材短边框和铝型材长边框有内扩型槽口,内扩型槽口上边沿比下边沿长度长,内扩型槽口上边沿有凸头。本实...
  • 本发明公开了一种改善太阳能电池扩散的方法,其步骤是:A.采用硅原料、导电类型P型;B.扩散:硅片在高温中与氧气,三氯氧磷发生化学反应,生成磷、五氯化磷、五氧化二磷、氯气;C.通氧再分布:再通入氧气与未消耗完的PCl↓[5]继续反应生成磷...
  • 本发明公开了一种以印刷电路贴片工艺制备太阳能电池组件的方法,其步骤是:A.通过钢网上的开孔给PCB上相对应的每个焊盘漏刷焊锡膏;B.用贴片机或手动贴片工具将PCB上所需电池片一一对应的贴装于焊盘上;C.利用回流焊将焊锡膏预热、回流焊接、...
  • 本发明公开了一种太阳能贴片组件的滴胶封装方法,其步骤是:A.将太阳能贴片板置于烘箱中烘烤;B.按体积比量取A胶、B胶,混合后用搅拌机将混合胶搅拌均匀至胶体透明;C.将搅拌均匀的混合胶灌入滴胶工具中,用滴胶工具向贴片板正面注入混合胶;D....
  • 本发明公开了一种单面指状交叉式太阳能电池片的切割方法,其步骤是:A.选用设备;B.调整激光机焦距;C.根据电池片切割要求编写的切割行走路径数值输入激光机,然后将电池片背面向上、电池片边缘与激光机操作台靠近原点处的X轴Y轴对齐放置并固定;...
  • 本实用新型公开了一种太阳能电池测试装置,它包括测试台、单片太阳能电池片参数测试仪、模块太阳能光源,模拟太阳能光源包括复眼透镜氙灯、灯箱、导向光杆,灯箱与测试台的桌面连接,灯箱内安装有复眼透镜氙灯,灯箱下壳与丝杆、丝母、导向光杆连接,电子...
  • 本发明公开了一种物理冶金法提炼太阳能级硅的方法,其步骤是:首先是利用真空感应熔炼炉,为避免碳的污染,选用高纯氧化物坩锅;其次是在加热过程的同时抽真空;第三是注入保护性气体,当熔炼温度达到一定值时,向坩埚底部注入强氧化性气体(氯气);第四...
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