晶体硅太阳能电池的热处理方法技术

本发明专利技术涉及太阳电池的生产方法，具体地说是一种晶体硅太阳电池的热处理方法。这种方法包括：ａ．进舟：将一批硅片，竖插入石英舟中，置于扩散炉的硅碳浆上，将硅片推入有高温度的扩散炉管温区中；ｂ．回温：使扩散炉管温区温度恢复至８６０～９００℃；ｃ．通源：在扩散炉温度达到稳定后，通入含磷的气体源，在硅片上生成含磷的磷硅玻璃氧化层；ｄ．再扩：在不通源的情况下，将磷硅玻璃内和进入硅片中的含磷杂质进一步向硅片内部扩散，起到杂质再分布和结深推进作用；ｅ．降温：然后将扩散炉管温区的炉温由８６０～９００℃降低到７３０～７７０℃；ｆ．出舟：将装有扩散好硅片的石英舟拉出扩散温区，到达室温区停留。利用该方法可获得一种太阳电池合适的Ｎ区磷杂质分布，并兼有部份的退火吸杂效应，以适应不同硅片材料的加工，同时不增加原有的工艺时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳电池的生产方法，具体地说是一种晶体硅太阳电池的热处 理方法。技术背景通过在P型硅片表面掺杂N型杂质，从而形成P-N结的过程，称之为扩散。 通过氮气携带POCl3，并同时通入氧气，使加热炉管中的硅片表面生成含磷的氧 化层，在高温下，磷从氧化层扩散到硅中，从而在P型硅片表面形成一层薄的 重掺杂的N型区。这个扩散过程就是热处理过程，在整个制作工艺中极为重要。传统的扩散方法如表一表一<table>table see original document page 3</column></row><table>这是一种常规的恒温扩散程序，要防止高温下进出舟时硅片容易碎裂，采用较慢的进出舟速度，N型区的杂质分布是遵循常规的余误差分布。
技术实现思路
本专利技术的目的在于设计一种，该方法获得 一种太阳电池合适的N区磷杂质分布，并兼有部份的退火吸杂效应，以适应不 同硅片材料的加工，同时不增加原有的工艺时间。按照本专利技术提供的技术方案，，其特征是a、 进舟将一批硅片，竖插入石英舟中，置于扩散炉的硅碳浆上，将硅片推入有高温度的扩散炉管本文档来自技高网...

【技术保护点】
晶体硅太阳能电池的热处理方法，其特征是：ａ、进舟：将一批硅片，竖插入石英舟中，置于扩散炉的硅碳浆上，将硅片推入有高温度的扩散炉管温区中，扩散炉管温区的炉温为８６０～９００℃；ｂ、回温：进舟时推入的硅片、石英舟、硅碳浆是室温的 ，会引起扩散炉管高温区温度的下降，需要一个时间，使扩散炉管温区温度恢复至８６０～９００℃；ｃ、通源：在扩散炉温度达到稳定后，通入含磷的气体源，在硅片上生成含磷的磷硅玻璃氧化层，继而使含磷杂质扩散入硅片中；ｄ、再扩：在不通源的 情况下，将磷硅玻璃内和进入硅片中的含磷杂质进一步向硅片内部扩散，起到杂质再分布和结深推进...

【技术特征摘要】
1、晶体硅太阳能电池的热处理方法，其特征是a、进舟将一批硅片，竖插入石英舟中，置于扩散炉的硅碳浆上，将硅片推入有高温度的扩散炉管温区中，扩散炉管温区的炉温为860～900℃；b、回温进舟时推入的硅片、石英舟、硅碳浆是室温的，会引起扩散炉管高温区温度的下降，需要一个时间，使扩散炉管温区温度恢复至860～900℃；c、通源在扩散炉温度达到...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵爱军，张忠，
申请(专利权)人：江阴浚鑫科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]