【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，尤其是用溶液工 艺制备用于紫外探测的纳米晶薄膜器件的方、 去。技术背景紫外探测器指探测紫外光，即波长在400到10nm之间的电磁波的存在和强 度的器件。紫外光在自然界和生产生活中广泛存在，与许多物质都有相互作用。 从弱光源条件下的火灾报警，到航空遥感监测空气污染和高能物理研究中的空 间探测；从有机聚合物的光致改性，到水源或空气的净化消毒和医学上的细胞 检测、疾病诊断；从卫星紫外通讯，到军事上的光电对抗和红外/紫外双波段制 导，紫外光都倍受青睐。作为一种在科研、军事、太空、环保、医学和许多工 业领域均有广泛用途的探测技术，人们对紫外探测技术和器件的需求日益增长。当前一种主流的紫外探测器是基于半导体的光电导现象，即半导体吸收能 量大于其带隙宽度的光子后，将电子从禁带激发到导带，增加了半导体的载流 子浓度，从而增大了半导体的电导率。现在国际上光电导型的紫外探测器主要 有硅基增强型紫外探测器和宽禁带半导体(GaN、 SiC、 ZnO、金刚石等)紫外 探测器。它们都是基于传统气相高温晶体生长的半导体薄膜制备技术，需要复 杂的薄膜制备真空设备和晶格匹配的...
【技术保护点】
用于紫外探测的纳米晶薄膜器件的制备方法，其特征是包括以下步骤：１）将可溶性半导体纳米晶材料溶于溶剂，配制质量浓度为２－２００ｍｇ／ｍｌ的纳米晶溶液；２）采用旋涂法或喷墨打印法将纳米晶溶液加工在衬底上，形成均匀的纳米晶薄膜； ３）将纳米晶薄膜在１００－３５０℃温度下退火处理１０－６０分钟，然后在纳米晶薄膜上蒸镀电极。
【技术特征摘要】
1. 用于紫外探测的纳米晶薄膜器件的制备方法，其特征是包括以下步骤1)将可溶性半导体纳米晶材料溶于溶剂，配制质量浓度为2-200mg/ml的纳米晶溶液；2)采用旋涂法或喷墨打印法将纳米晶溶液加工在衬底上，形成均匀的纳米晶薄膜；3)将纳米晶薄膜在100-350℃温度下退火处理10-60分钟，然后在纳米晶薄膜上蒸镀电极。2. 根据权利要求1所述的紫外探测器的纳米晶薄膜器件的制备方法，其特征 在于所说的半导体纳米晶材料是ZnO纳米晶、掺Mg的ZnO纳米晶、或掺Al 的ZnO纳米晶。3. 根据权利要求1所述的紫外探测器的纳米晶薄膜器件的制...
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