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本发明公开了用于紫外探测的纳米晶薄膜器件的制备方法，步骤包括：将可溶性半导体纳米晶材料溶于溶剂，制得纳米晶溶液；采用旋涂法或喷墨打印法将纳米晶溶液加工在衬底上，形成均匀的纳米晶薄膜；将纳米晶薄膜在１００－３５０℃温度下退火处理１０－６０分钟...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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