【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种适用半导体封装的电路基板,特别是涉及一种多晶片堆叠的基板、使用该基板的多晶片堆叠封装构造(multi-chip stack package)及其应用。
技术介绍
由于电子科技不断地演进,功能性更复杂、更人性化的产品推陈出新,就 电子产品外观而言,也朝向轻、薄、短、小的趋势设计。随着微小化以及 高运作速度需求的增加,多个晶片会垂直向堆叠在一基板上,以达到多倍 以上的容量或更多功能的需求。所有堆叠的复数个晶片会密封在一封胶体 中,可称之为多晶片堆叠封装构造。然而现有习知在进行多晶片堆叠封装 构造时,是使用一封胶体密封该复数个晶片,在封胶完成后再对产品进行 电性测试,当其中一晶片无法运作时,整个半导体半导体封装构造将变成 故障品,并且无法作封胶后的整理修补。请参阅图l所示, 一种多晶片堆叠封装构造至少包含一基板IOO、 一第 一晶片10、 一第二晶片20、复数个焊线31、 32与一封胶体40。请配合参 照图2,该基板100是包含复数个打线接指(wiring-bonding fmgers)110以及 复数个迹线(trace)120,其是形成于该基板10 ...
【技术保护点】
一种多晶片堆叠的基板,其特征在于其包含:一第一打线接指,其是邻近于一黏晶区域;一第二打线接指,其是邻近于该黏晶区域;一迹线,以供电性传输;以及一回圈线路,其是串接该第一打线接指与该第二打线接指并连接至该迹线。
【技术特征摘要】
1. 一种多晶片堆叠的基板,其特征在于其包含一第一打线接指,其是邻近于一黏晶区域;一第二打线接指,其是邻近于该黏晶区域;一迹线,以供电性传输;以及一回圈线路,其是串接该第一打线接指与该第二打线接指并连接至该迹线。2、 根据权利要求1所述的基板,其特征在于其中所述的回圏线路是设 有一第一熔丝、 一第二熔丝与一第三熔丝,其中该第一熔丝是串接于该第 一打线接指与该迹线之间,该第二熔丝是串接于该第一打线接指与该第二 打线接指之间,该第三熔丝是串接于该第二打线接指与该迹线之间。3、 根据权利要求2所述的基板,其特征在于其另包含有一绝缘层,其 是具有复数个开孔,其是对准并显露该第一熔丝、该第二熔丝与该第三熔 丝。4、 根据权利要求1所述的基板,其特征在于其中所述的第一打线接指、该 第二打线接指、该迹线与该回圏线路是形成于该基板的一内表面,另包含 有一外连接垫,其是形成于该基板的一外表面。5、 根据权利要求1所述的基板,其特征在于其另包含有一第三打线接 指,其是被该回圈线路所串接。6、 一种多晶片堆叠封装构造,其特征在于其包含 一基板,其是包含一第一打线接指,其是邻近于一黏晶区域...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐宏欣,吴智伟,
申请(专利权)人:力成科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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