【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种新型铝背发射结N型单晶硅太阳电池结构及生 产工艺。
技术介绍
N型硅太阳电池的成熟工艺主要是采用硼扩散来制备背面P型发 射结。为了进一步简化工艺,降低成本, 一般采用一种新工艺,丝网 印刷铝浆一次烧结,铝背发射结和铝背电极一次完成。但遇到了一个 难以解决的问题,即如果背面全覆盖铝,电极可焊性、牢固度问题无 法解决;如果背面印刷铝浆时空出主栅位置来印刷银铝浆,将导致背 面主栅线位置铝发射结缺失,银铝浆里的银扩散进去,造成大的短路 通道,严重破坏铝背发射结,导致电池性能非常差。这一个难关使铝 背发射结N型单晶硅太阳电池规模化生产难以实现。
技术实现思路
为解前述工艺存在的问题,本专利技术提供一种新型铝背发射结N型单晶 硅太阳电池;通过两次丝网印刷铝桨,两次烧结,把铝硅合金的烧结 与背电极的烧结分开进行,成功解决了这一难题;本专利技术的太阳电池 结构是,自上层至下层,依次是- (1) Ag银金属栅线正电极;(2) SiNx减反射层,厚度约为80nm;(3) 正面W磷扩散层,厚度为0.3 0.5um;(4) N型单晶硅片,电阻率0.2 15acnu(5) ...
【技术保护点】
一种新型铝背发射结N型单晶硅太阳电池,其特征在于:该电池的层结构,自上层至下层,依次是:(1)Ag银金属栅线正电极;(2)SiN↓[x]减反射层,厚度约为80nm;(3)正面N↑[+]磷扩散层,厚度为0.3~0.5u m;(4)N型单晶硅片,电阻率0.2~15Ω.cm;(5)P↑[+]Al-Si合金层;(6)背面Al电极;(7)背面银铝主栅线电极。
【技术特征摘要】
1、一种新型铝背发射结N型单晶硅太阳电池,其特征在于该电池的层结构,自上层至下层,依次是(1)Ag银金属栅线正电极;(2)SiNx减反射层,厚度约为80nm;(3)正面N+磷扩散层,厚度为0.3~0.5um;(4)N型单晶硅片,电阻率0.2~15Ω.cm;(5)P+Al-Si合金层;(6)背面Al电极;(7)背面银铝主栅线电极。2、 一种新型铝背发射结N型单晶硅太阳电池的生产工艺,其特征在 于,该工艺步骤是(1) 将电阻率0.2 15Q.cm的N型单晶硅片,进行前道化学预清 洗和绒面腐蚀;(2) 在N型单晶硅片的正面,磷扩散N^层;(3) ...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡宏勋,李华维,徐晓群,孙劢斌,陈斌,黄跃文,唐则祁,
申请(专利权)人:宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司,
类型:发明
国别省市:97[中国|宁波]
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