【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种快恢复二极管芯片，属于半导体器件
技术介绍
目前，带有钝化层的快恢复二极管芯片，由金属阴极和金属阳极，第 一掺杂层、第二掺杂层、氧化层和钝化层构成，但钝化层是连接在氧化层 和金属层的上部。快恢复二极管与其它器件配套，能广泛用于工业、医学 等领域。这类快恢复二极管芯片由于具有钝化层，因此在制作过程中，需 要经过氧化、光刻有源区、离子注入、推结、光刻电极孔、金属化、光刻 金属、淀积钝化层、光刻钝化层、硅片减薄、背面金属化工序，需要四次 光刻，操作复杂，制作工序多，工艺周期长，制造成本高，市场竞争力差。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种低成本的快恢复二极管芯片。 本技术为达到上述目的的技术方案是 一种快恢复二极管芯片， 包括金属阴极和金属阳极，杂质类型不同的第一掺杂层和第二掺杂层，以 及氧化层和钝化层，其特征在于，所述第二掺杂层设置在第一掺杂层内； 氧化层连接在第一掺杂层和第二掺杂层的上部，钝化层连接在氧化层的上 部，氧化层和钝化层上开有窗口，金属阳极设置在窗口内，金属阳极的底 面与第二掺杂层连接，金属阳极上部的场板与钝化层的上表面相连。 ...
【技术保护点】
一种快恢复二极管芯片，包括金属阴极（１）和金属阳极（７），杂质类型不同的第一掺杂层（３）和第二掺杂层（４），以及氧化层（５）和钝化层（６），其特征在于，所述第二掺杂层（４）设置在第一掺杂层（３）内；氧化层（５）连接在第一掺杂层（３）和第二掺杂层（４）的上部，钝化层（６）连接在氧化层（５）的上部，氧化层（５）和钝化层（６）上开有窗口，金属阳极（７）设置在窗口内，金属阳极（７）的底面与第二掺杂层（４）连接，金属阳极（７）的上部场板（７１）与钝化层（６）的上表面相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘利峰，张景超，李栋良，赵善麒，
申请(专利权)人：江苏宏微科技有限公司，深圳市晶导电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]
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