【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种具有双介质埋层的耐压层结构，包括衬底层（１）、介质层（２、１４）、有源半导体层（３）、其特征在于：介质层有第一介质层（２）和第二介质层（１４），所述第一介质层（２）与第二介质层（１４）之间设有中间层（１５），第一介质层另一侧与有源半导体层（３）相连，第二介质层（１４）另一侧与衬底层（１）相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗小蓉，张波，李肇基，杨寿国，詹瞻，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：实用新型
国别省市：90[中国|成都]
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