外延型软恢复二极管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种外延型软恢复二极管，包括在半导体芯片中Ｎ型杂质和Ｐ型杂质形成的阴极区和阳极区、基区以及芯片两端面的金属层构成的阴电极和阳电极，所述的阴极区为高浓度的Ｎ型杂质的衬底层，阳极区为Ｐ型杂质层；所述的基区为相互连接低浓度的Ｎ型杂质的外延层和Ｎ型杂质的外延电场阻断层，外延电场阻断层的杂质浓度介于衬底层的杂质浓度和外延层的杂质浓度之间，外延电场阻断层与衬底层相连，外延层与Ｐ型杂质层相连。本实用新型专利技术能简化制作工艺，性能优越，实现了又快又软的反向恢复特性，能减少器件的漏电流，提高器件抗雪崩耐量的能力。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体二极管
，具体涉及一种外延型软恢复 二极管。
技术介绍
快速恢复二极管FRED (Fast Recovery Epitaxial Diode)是一种用外延 硅单晶片作材料，用CMOS工艺技术制造的新一代新型电力半导体器 件，具有高频率、高电压、大电流、低损耗和无电磁干扰等优点。FRED 可以作为PFC 二极管、输出整流二极管、嵌位二极管、吸收二极管单独 使用，也可以作为续流二极管与IGBT配套使用。FRED单管和模块以 及与IGBT组合的模快广泛用于电机变频调速、电焊机、各种开关电源、 逆变器、静电感应加热等工业、医学和航天航空领域。高频电力电子线路中，为了减少二极管本身的关断损耗，提高整机的 运行效率和可靠性，要求二极管有较快的反向恢复特性，即在较短的时间 内，二极管能够从正向导通状态恢复到反向阻断状态。因此，需要二极管 具有反向恢复时间k短、反向恢复电荷Qn少和最大的反向恢复电流I 低的特点。但是，较快的反向恢复，导致了较大的电流上升率(di/dt)， 由于电路中的杂生电感的存在，使得器件两端在高频情况下运行时，极易 产生电压尖峰。该过电压的幅值有时超出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种外延型软恢复二极管，包括在半导体芯片中Ｎ型杂质和Ｐ型杂质形成的阴极区和阳极区、基区以及芯片两端面的金属层构成的阴电极和阳电极，其特征在于：所述的阴极区为高浓度的Ｎ型杂质的衬底层，阳极区为Ｐ型杂质层；所述的基区为相互连接的低浓度的Ｎ型杂质的外延层和Ｎ型杂质的外延电场阻断层，外延电场阻断层的杂质浓度介于衬底层的杂质浓度和外延层的杂质浓度之间，外延电场阻断层与衬底层相连，外延层与Ｐ型杂质层相连。

【技术特征摘要】
1、一种外延型软恢复二极管，包括在半导体芯片中N型杂质和P型杂质形成的阴极区和阳极区、基区以及芯片两端面的金属层构成的阴电极和阳电极，其特征在于所述的阴极区为高浓度的N型杂质的衬底层，阳极区为P型杂质层；所述的基区为相互连接的低浓度的N型杂质的外延层和N型杂质的外延电场阻断层，外延电场阻断层的杂质浓度介于衬底层的杂质浓度和外延层的杂质浓度之间，外延电场阻断层与衬底层相连，外延层与P型杂质层相连。2、 根据权利要求1所述的外延型软恢复二极管，其特征在于所述 的外延电场阻断层和外延层的过渡区厚度W为2um 8um，该过渡区为从 外延电场阻断层浓度的80%到外延层浓度的120%的宽度。3、 根据权利要求1所述的外延型软恢复二极管，其特征在于所述 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵善麒，刘利峰，王晓宝，
申请(专利权)人：江苏宏微科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]