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本实用新型涉及一种外延型软恢复二极管，包括在半导体芯片中Ｎ型杂质和Ｐ型杂质形成的阴极区和阳极区、基区以及芯片两端面的金属层构成的阴电极和阳电极，所述的阴极区为高浓度的Ｎ型杂质的衬底层，阳极区为Ｐ型杂质层；所述的基区为相互连接低浓度的Ｎ型杂质...
该专利属于江苏宏微科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏宏微科技有限公司授权不得商用。

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