【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种利用半导体结构的物理过程实现恒电流特性的P沟道大功率半导体 恒电流二极管，属于二端半导体器件
技术介绍
现有技术中，恒电流源是电子设备和装置中常用的一种技术， 一般采用电子模块或集成 电路实现。恒电流二极管是实现恒流源的一种半导体器件。目前国际国内的恒流二极管通常 都是小电流、小功率的产品(输出电流0.5mA-10mA;)，主要用于电子电路中的基准电流 设定。由于电流、功率过小，不能直接驱动负载。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种利用半导体物理特性、可以直接驱动负载的P沟道大功率半导体恒电流二极管，以克服现有技术的不足。本技术的P沟道大功率半导体恒电流二极管，它包括N型半导体衬底(2)，在N型半 导体衬底(2)上设有一个P型半导体区域(4)和一个P型半导体区域(3) ， P型半导体区域 (4)和P型半导体区域(3)通过金属电极(7)连接；在P型半导体区域(4)上设有N+型半 导体区域(6) ， N型半导体衬底(2) 、 P型半导体区(4)和N+型半导体区(6)通过金属电 极(8)连接；在P型半导体区域(3)上也设有N+型半导体(5) ， N+型半导体(5)连接金 属电极(9)。金属电极(9)的输出电流为20mA-lA。本技术的特点是通过半导体器件结构的物理过程实现恒流特性，不是集成电路和电 子模块(组件)的技术。电子模块组件是采用电子器件(包括集成电路)在电路板上按电路 方式组装构成，体积较大。集成电路是将电子元器件按电路方式制作在一块半导体材料上， 集成电路的结构复杂，特别是大功率集成电路。集成电路和电子模块(组件)都是多端...
【技术保护点】
一种Ｐ沟道大功率半导体恒电流二极管，它包括Ｎ型半导体衬底（２），其特征在于：在Ｎ型半导体衬底（２）上设有一个Ｐ型半导体区域（４）和一个Ｐ型半导体区域（３），Ｐ型半导体区域（４）和Ｐ型半导体区域（３）通过金属电极（７）连接；在Ｐ型半导体区域（４）上设有Ｎ↑［＋］型半导体区域（６），Ｎ型半导体衬底（２）、Ｐ型半导体区（４）和Ｎ↑［＋］型半导体区（６）通过金属电极（８）连接；在Ｐ型半导体区域（３）上也设有Ｎ↑［＋］型半导体（５），Ｎ↑［＋］型半导体（５）连接金属电极（９）。
【技术特征摘要】
1、一种P沟道大功率半导体恒电流二极管，它包括N型半导体衬底(2)，其特征在于在N型半导体衬底(2)上设有一个P型半导体区域(4)和一个P型半导体区域(3)，P型半导体区域(4)和P型半导体区域(3)通过金属电极(7)连接；...
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