半导体器件制造技术

一种半导体器件，在多个布线层的每一层中与常规布线一起形成四片条状电极，条状电极纵向方向相同，多个布线层按照彼此相同的设计规则提供。在每个布线层中，第一和第二电极中每一个的两片彼此平行形成，另外，并且彼此远离。然后，在每一层中形成的第一电极通过第一通孔彼此连接，在每一层中形成的第二电极通过第二通孔彼此连接，通过连接第一电极和第一通孔形成的第一结构主体与地线连接，并且通过连接第二电极和第二通孔形成的第二结构主体与电源线连接。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有MIM(金属-绝缘体-金属)电容的半导体器件，具体地是一种半导体器件，其制造过程已经被简化。
技术介绍
例如，如‘M.Armacost等所著的文献“A High Reliability MetalInsulator Metal Capacitor for 0.18μm Copper Technology”IEDM 2000PP.157-160’所揭示的，当在半导体器件中传统地形成电容时，在衬底上按照顺序把下电极、电容绝缘膜和上电极以形成MIM电容。图1示出了具有传统MIM电容的半导体器件的截面图。如图1所示，在传统半导体器件中，在衬底101上提供氧化物膜102，并且在其上提供金属制成的下电极103。然后，在下电极103上提供电容绝缘膜104，在电容绝缘膜104上提供上电极105以及在上电极上提供帽盖膜106。上电极105通过下面层107和通孔108与布线109连接，并且下电极103通过下面层107和通孔110与布线111连接。因此，下电极103、电容绝缘膜104和上电极105形成MIM电容112。而且，下电极103、电容绝缘膜104和上电极105以及类似物掩本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：多个布线层，其彼此之间互相层压；每个所述布线层包括：中间层绝缘膜；第一和第二电极，其掩埋在中间层绝缘膜中，并且彼此远离；第一通孔，其将所述第一电极和本布线层的上层或下层中的所述第 一电极彼此连接；以及第二通孔，其将所述第二电极和本布线层的上层或下层中的所述第二电极彼此连接，并且所述第一电极和所述第一通孔连接到第一端子，所述第二电极和所述第二通孔连接到第二端子，以及在所述第一电极和所述第一通孔以及所述第二电极和 所述第二通孔之间形成一电容，其中所述第一和第二电极都是彼此平行的条状形状...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：富留宫正之，大窪宏明，中柴康隆，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]