具有透明晶体管的CMOS图像传感器制造技术

本发明专利技术提供了一种具有透明晶体管的ＣＭＯＳ图像传感器。ＣＭＯＳ图像传感器包括光电二极管和形成在光电二极管上的至少一个晶体管。所述图像传感器可以包括多个晶体管，其中，多个晶体管中的至少一个是透明晶体管。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ图像传感器，包括：　光电二极管；　至少一个晶体管，在光电二极管上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴永洙，张丞爀，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]