半导体双晶白色LED封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体双晶白色ＬＥＤ封装结构，是以二种具有互补波长的ＬＥＤ串级制成，例如：将蓝光晶粒封装于黄光晶粒上，或是将黄光晶粒封装于蓝光晶粒上形成的封装结构。当黄光穿透蓝光或蓝光穿透黄光，即可混波成为白光。本实用新型专利技术可为单正单负或双正单负的封装结构。（*该技术在2011年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体双晶白色LED封装结构，特别是利用二种具有互补波长的LED串级制成，混波成为白光的半导体双晶LED封装结构。发光二极管(Light Emitting Diode；LED)是半导体材料制成的元件，也是一种极细微的固态光源，可将电能转化为光，不但体积小，且寿命长、驱动电压低、反应速率快、耐震性特佳，能够配合各种应用设备的轻、薄及小型化的需求，早已成为日常生活中十分普及的产品。发光二极管是利用各种化合物半导体材料及元件结构的变化，设计出红、橙、黄、绿、蓝、紫等各种颜色，以及红外、紫外等不可见光LED。适合制作1000mcd以上高亮度LED的材料，其波长由长至短分别为AlGaAS、InGaAlP和InGaN。AlGaAs适合于制作高亮度红光及红外光LED，商业上以LPE磊晶法进行生产，元件使用双异质接面构造(DH)为主。InGaAlP适合于高亮度红、橘、黄及黄绿光LED，商业上以MOVPE磊晶法进行生产，元件使用双异质接面及量子井(Quantum Well)。公知黄光LED晶粒10的结构如附图说明图1A所示，图中正极接线垫11是接正极，其通常为金(Au)，并以金属蒸镀法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体双晶白色ＬＥＤ封装结构，利用二种对白光为互补的光混波产生白光；其特征为：主要包括：（ａ）一封装基座，具有至少一正极接脚，及一负极接脚，该负极接脚具有一凹室；（ｂ）一第一ＬＥＤ晶粒，具有一正极及一负极，并放置于该封装基座的凹 室内；（ｃ）一第二ＬＥＤ晶粒，其发射光波长与第一ＬＥＤ晶粒的发射光波长对白光为互补，具有一正极及一负极，封装于该凹室上方，使该凹室形成一封闭空间；及（ｄ）复数条金属导线，将该第一ＬＥＤ晶粒及该第二ＬＥＤ晶粒的正极连接至该封装底座的正 极接脚上。

【技术特征摘要】
1.一种半导体双晶白色LED封装结构，利用二种对白光为互补的光混波产生白光；其特征为主要包括(a)一封装基座，具有至少一正极接脚，及一负极接脚，该负极接脚具有一凹室；(b)一第一LED晶粒，具有一正极及一负极，并放置于该封装基座的凹室内；(c)一第二LED晶粒，其发射光波长与第一LED晶粒的发射光波长对白光为互补，具有一正极及一负极，封装于该凹室上方，使该凹室形成一封闭空间；及(d)复数条金属导线，将该第一LED晶粒及该第二LED晶粒的正极连接至该封装底座的正极接脚上。2.如权利要求1所述的封装结构，其特征为该第一LED晶粒的负极粘接于该负极接脚的凹室。3.如权利要求1所述的封装结构，其特征为该第二LED晶粒的负极以金属导线连接至该封装基座的负极接脚。4.如权利要求1所述的封装结构，其特征为该第二LED晶粒下方设有一支撑板。5.如权利要求1所述的封装结构，其特征为该封装基座具有一正极接脚，使该第一LED晶粒及该第二LED晶粒的正极皆连接至该正极接脚，形成单正单负封装结构。6.如权利要求1所述的封装结构，其特征为该封装基座具有二正极接脚，使该第一LED晶粒及该第二LED晶粒的正极分别连接至该二正极接脚，形成双正单负封装结构。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：张修恒，
申请(专利权)人：张修恒，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]